Компания spansion представила технологию hyperbus на базе флэш-памяти nor

Spansion представляет первый в мире гигабитный модуль флэш-памяти NOR

Spansion

Первые образцы изготовлены по 90-нанометровой технологии MirrorBit™

Spansion LLC объявила о предоставлении клиентам первых образцов одномодульных гигабитных устройств флэш-памяти для встроенных систем. Новые гигабитные модули, изготовленные по 90-нанометровой технологии MirrorBit™ GL, на сегодня обладают рекордной удельной емкостью среди одномодульных устройств флэш-памяти NOR. Они могут применяться для хранения данных и исполняемого кода в разнообразных встроенных системах, таких как автомобильные системы навигации, устройства связи, игровые устройства и промышленные роботы. Гигабитные модули MirrorBit GL — первые устройства, изготовленные по 90-нанометровому процессу MirrorBit, запущенному Spansion в прошлом месяце.

Гигабитные устройства MirrorBit GL входят в ту же линию продукции, что единственные в мире 512-мегабитные модули флэш-памяти NOR. Перевод технологии MirrorBit на 90-нанометровый производственный процесс и удвоение плотности флэш-памяти NOR позволили Spansion снизить стоимость компонентов, поскольку теперь разработчики встроенных систем могут обойтись одним одномодульным устройством вместо нескольких независимых устройств или дорогих многослойных устройств с несколькими модулями низкой емкости. Благодаря тому что новинка продолжает существующую линию устройств, клиентам Spansion будет предельно просто перейти на новые модули, поскольку это не потребует никаких изменений в архитектуре уже разработанных встроенных систем.

Простота перехода на новые устройства флэш-памяти NOR Spansion™
Выпуском нового гигабитного устройства компания Spansion расширила богатый ассортимент своей продукции емкостью от 1 мегабита до 1 гигабита. Вся новая продукция совместима с модулями предыдущих поколений (вплоть до 2-мегабитных) на уровне программного интерфейса, аппаратного интерфейса и посадочных мест, что позволяет устанавливать их в старые платы и сокращает стоимость внедрения до минимума. Гигабитные модули MirrorBit GL на уровне аппаратного интерфейса и посадочного места совместимы со всеми устройствами MirrorBit GL-M (230-нанометровые), MirrorBit GL-A (200-нанометровые) и MirrorBit GL-N (110-нанометровые), а также с более старыми устройствами Fujitsu и AMD LV вплоть до тех, что производились по процессу 320 нм. Физическое исполнение модулей отвечает требованиям стандартов JEDEC.

Технические характеристики и преимущества гигабитных модулей MirrorBit™ GL ™
Гигабитные модули Spansion MirrorBit относятся к семейству Spansion GL, в котором сегодня выпускаются модули емкостью от 16 до 512 мегабит. Рабочее напряжение гигабитных модулей MirrorBit GL составляет 3,0 В (Vcc), скорость произвольного доступа при чтении — 110 нс, скорость последовательного доступа при чтении — 25 нс, емкость страничного буфера — 8 слов.

Гигабитные модули MirrorBit GL позволяют либо выполнять код непосредственно с флэш-памяти, либо копировать его с высокой скоростью в оперативную память. Температурный диапазон — от -40 до +85 градусов Цельсия. Гигабитные модули MirrorBit GL основаны на архитектуре NOR, которая гарантирует отсутствие плохих секторов, устраняет необходимость в проверке четности ECC и поддерживает стандартный параллельный интерфейс. Эти модули позволяют значительно упростить структуру и снизить стоимость встроенных систем.

Высокий уровень безопасности
Для приложений, предъявляющих особые требования к защите, немаловажно то, что в мегабитных модулях MirrorBit GL поддерживается технология улучшенной защиты секторов ASP (Advanced Sector Protection). Технология ASP позволяет разработчикам надежно защитить программные алгоритмы и параметры 64-разрядным ключом. Защита может устанавливаться индивидуально для каждого сектора с кодом или данными. Помимо этого, модулям можно присваивать электронные серийные номера (ESN). Номера ESN удобно применять для удаленной идентификации устройств, управлением уровнем обслуживания и ведения журнала доступа для последующей тарификации. Эти средства защиты помогают обезопасить устройства от вредоносного кода и вирусов, а также несанкционированного доступа.

Ассортимент, цены и регионы
В настоящее время Spansion поставляет образцы модулей MirrorBit GL емкостью 1 Гбит отдельным клиентам. Массовое производство должно начаться в конце четвертого квартала. Модулям MirrorBit GL емкостью 1 Гбит присвоен кодовый номер S29GL01GP. Модули будут выпускаться в 56-контактных корпусах TSOP и в 64-контактных усиленных корпусах BGA. Ориентировочная цена — 18,50 доллара за штуку в партиях по 10000 штук.

Решения Spansion™ для встроенных систем
Spansion предлагает разработчикам встроенных систем широчайшую гамму устройств флэш-памяти с рабочим напряжением 5, 3 и 1,8 В емкостью от 1 Мбит до 1 Гбит в корпусном исполнении и в исполнении KGD (Known Good Die). В богатом ассортименте устройств и конфигураций флэш-памяти Spansion, насчитывающем несколько сотен наименований, каждый клиент сможет найти оптимальное решение для своих задач.

Модули флэш-памяти высокой плотности производятся по технологии MirrorBit или технологии транзисторов с плавающим затвором и могут работать в режимах Page Mode и Burst Mode. Для повышения производительности приложений, код которых хранится в модуле памяти, в режимах Page Mode и Burst Mode может применяться режим синхронного чтения и записи. Кроме того, новая линия продукции Spansion с интерфейсом SPI (Serial Peripheral Interface) позволяет сделать встроенные системы еще более компактными, сократить их энергопотребление, повысить надежность и снизить стоимость разработки.

О технологии MirrorBit™
Новаторская технология MirrorBit, разработанная Spansion, отличается высокой плотностью и низкой стоимостью изготовления флэш-памяти по сравнению с традиционной технологией на основе плавающего затвора. Технология MirrorBit предусматривает изготовление модулей памяти на непроводящей основе, при этом процессе производства на 40% меньше операций, требующих высокой точности, по сравнению с технологией плавающего затвора, что позволяет значительно повысить плотность памяти с одновременным снижением стоимости производства. Фирменная 90-нанометровая технология Spansion™ MirrorBit станет базой для дальнейшего развития надежной, высокопроизводительной и недорогой флэш-памяти высокой плотности для беспроводных устройств и встроенных систем. Помимо гигабитных модулей GL, о выпуске которых было объявлено сегодня, Spansion ведет разработку гигабитных модулей архитектуры MirrorBit ORNAND™. Первые модули MirrorBit ORNAND будут предназначены для беспроводных устройств.

Технологии флэш-памяти

Современному человеку нравится быть мобильным и иметь при себе различные высокотехнологичные гаджеты (англ. gadget — устройство), облегчающие жизнь, да что там скрывать, делающие ее более насыщенной и интересной. И появились-то они всего за 10-15 лет! Миниатюрные, легкие, удобные, цифровые… Всего этого гаджеты достигли благодаря новым микропроцессорным технологиям, но все же больший вклад был сделан одной замечательной технологией хранения данных, о которой сегодня мы и будем говорить. Итак, флэш-память.

Бытует мнение, что название FLASH применительно к типу памяти переводится как «вспышка». На самом деле это не совсем так. Одна из версий его появления говорит о том, что впервые в 1989-90 году компания Toshiba употребила слово Flash в контексте «быстрый, мгновенный» при описании своих новых микросхем. Вообще, изобретателем считается Intel, представившая в 1988 году флэш-память с архитектурой NOR. Годом позже Toshiba разработала архитектуру NAND, которая и сегодня используется наряду с той же NOR в микросхемах флэш. Собственно, сейчас можно сказать, что это два различных вида памяти, имеющие в чем-то схожую технологию производства. В этой статье мы попытаемся понять их устройство, принцип работы, а также рассмотрим различные варианты практического использования.

С помощью нее осуществляется преобразование входных напряжений в выходные, соответствующие «0» и «1». Они необходимы, потому что для чтения/записи данных в ячейке памяти используются различные напряжения. Схема ячейки приведена на рисунке ниже.

Она характерна для большинства флэш-чипов и представляет из себя транзистор с двумя изолированными затворами: управляющим (control) и плавающим (floating). Важной особенностью последнего является способность удерживать электроны, то есть заряд. Также в ячейке имеются так называемые «сток» и «исток». При программировании между ними, вследствие воздействия положительного поля на управляющем затворе, создается канал — поток электронов. Некоторые из электронов, благодаря наличию большей энергии, преодолевают слой изолятора и попадают на плавающий затвор. На нем они могут храниться в течение нескольких лет. Определенный диапазон количества электронов (заряда) на плавающем затворе соответствует логической единице, а все, что больше его, — нулю. При чтении эти состояния распознаются путем измерения порогового напряжения транзистора. Для стирания информации на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток. В технологиях различных производителей этот принцип работы может отличаться по способу подачи тока и чтению данных из ячейки. Хочу также обратить ваше внимание на то, что в структуре флэш-памяти для хранения 1 бита информации задействуется только один элемент (транзистор), в то время как в энергозависимых типах памяти для этого требуется несколько транзисторов и конденсатор. Это позволяет существенно уменьшить размеры выпускаемых микросхем, упростить технологический процесс, а, следовательно, и снизить себестоимость. Но и один бит далеко не предел: Intel уже выпускает память StrataFlash, каждая ячейка которой может хранить по 2 бита информации. Кроме того, существуют пробные образцы, с 4-х и даже 9-битными ячейками! В такой памяти используются технология многоуровневых ячеек. Они имеют обычную структуру, а отличие заключается в том, что заряд их делится на несколько уровней, каждому из которых в соответствие ставится определенная комбинация бит. Теоретически прочитать/записать можно и более 4-х бит, однако, на практике возникают проблемы с устранением шумов и с постепенной утечкой электронов при продолжительном хранении. Вообще, у существующих сегодня микросхем памяти для ячеек характерно время хранения информации, измеряемое годами и число циклов чтения/записи — от 100 тысяч до нескольких миллионов. Из недостатков, в частности, у флэш-памяти с архитектурой NOR стоит отметить плохую масштабируемость: нельзя уменьшать площадь чипов путем уменьшения размеров транзисторов. Эта ситуация связана со способом организации матрицы ячеек: в NOR архитектуре к каждому транзистору надо подвести индивидуальный контакт. Гораздо лучше в этом плане обстоят дела у флэш-памяти с архитектурой NAND.

Устройство и принцип работы ячеек у нее такой же, как и у NOR. Хотя, кроме логики, все-таки есть еще одно важное отличие — архитектура размещения ячеек и их контактов. В отличие от вышеописанного случая, здесь имеется контактная матрица, в пересечениях строк и столбцов которой располагаются транзисторы. Это сравнимо с пассивной матрицей в дисплеях 🙂 (а NOR — с активной TFT). В случае с памятью такая организация несколько лучше — площадь микросхемы можно значительно уменьшить за счет размеров ячеек. Недостатки (куда уж без них) заключаются в более низкой по сравнению с NOR скорости работы в операциях побайтового произвольного доступа.

Существуют еще и такие архитектуры как: DiNOR (Mitsubishi), superAND (Hitachi) и пр. Принципиально нового ничего они не представляют, а лишь комбинируют лучшие свойства NAND и NOR.

И все же, как бы там ни было, NOR и NAND на сегодняшний день выпускаются на равных и практически не конкурируют между собой, потому как в силу своих качеств находят применение в разных областях хранения данных. Об этом и пойдет далее речь…

Где нужна память…

Сфера применения какого-либо типа флэш-памяти зависит в первую очередь от его скоростных показателей и надежности хранения информации. Адресное пространство NOR-памяти позволяет работать с отдельными байтами или словами (2 байта). В NAND ячейки группируются в небольшие блоки (по аналогии с кластером жесткого диска). Из этого следует, что при последовательном чтении и записи преимущество по скорости будет у NAND. Однако с другой стороны NAND значительно проигрывает в операциях с произвольным доступом и не позволяет напрямую работать с байтами информации. К примеру, для изменения одного байта требуется:

  1. считать в буфер блок информации, в котором он находится
  2. в буфере изменить нужный байт
  3. записать блок с измененным байтом обратно

Если еще ко времени выполнения перечисленных операций прибавить задержки на выборку блока и на доступ, то получим отнюдь неконкурентоспособные с NOR показатели (отмечу, что именно для случая побайтовой записи). Другое дело последовательная запись/чтение — здесь NAND наоборот показывает значительно более высокие скоростные характеристики. Поэтому, а также из-за возможностей увеличения объема памяти без увеличения размеров микросхемы, NAND-флэш нашел применение в качестве хранителя больших объемов информации и для ее переноса. Наиболее распространенные сейчас устройства, основанные на этом типе памяти, это флэшдрайвы и карты памяти. Что касается NOR-флэша, то чипы с такой организацией используются в качестве хранителей программного кода (BIOS, RAM карманных компьютеров, мобилок и т. п.), иногда реализовываются в виде интегрированных решений (ОЗУ, ПЗУ и процессор на одной мини-плате, а то и в одном чипе). Удачный пример такого использования — проект Gumstix: одноплатный компьютер размером с пластинку жвачки. Именно NOR-чипы обеспечивают требуемый для таких случаев уровень надежности хранения информации и более гибкие возможности по работе с ней. Объем NOR-флэш обычно измеряется единицами мегабайт и редко переваливает за десятки.

И будет флэш…

Безусловно, флэш — перспективная технология. Однако, несмотря на высокие темпы роста объемов производства, устройства хранения данных, основанные на ней, еще достаточно дороги, чтобы конкурировать с жесткими дисками для настольных систем или ноутбуков. В основном, сейчас сфера господства флэш-памяти ограничивается мобильными устройствами. Как вы понимаете, этот сегмент информационных технологий не так уж и мал. Кроме того, со слов производителей, на нем экспансия флэш не остановится. Итак, какие же основные тенденции развития имеют место в этой области.

Во-первых, как уже упоминалось выше, большое внимание уделяется интегрированным решениям. Причем проекты вроде Gumstix лишь промежуточные этапы на пути к реализации всех функций в одной микросхеме.

Читайте также  Фильтрующая вытяжка для паяльных работ

Пока что, так называемые on-chip (single-chip) системы представляют собой комбинации в одном чипе флэш-памяти с контроллером, процессором, SDRAM или же со специальным ПО. Так, например, Intel StrataFlash в сочетании с ПО Persistent Storage Manager (PSM) дает возможность использовать объем памяти одновременно как для хранения данных, так и для выполнения программного кода. PSM по сути дела является файловой системой, поддерживающейся ОС Windows CE 2.1 и выше. Все это направлено на снижение количества компонентов и уменьшение габаритов мобильных устройств с увеличением их функциональности и производительности. Не менее интересна и актуальна разработка компании Renesas — флэш-память типа superAND с встроенными функциями управления. До этого момента они реализовывались отдельно в контроллере, а теперь интегрированы прямо в чип. Это функции контроля бэд-секторов, коррекции ошибок (ECC — error check and correct), равномерности износа ячеек (wear leveling). Поскольку в тех или иных вариациях они присутствуют в большинстве других брендовых прошивок внешних контроллеров, давайте вкратце их рассмотрим. Начнем с бэд-секторов. Да, во флэш-памяти они тоже встречаются: уже с конвейера сходят чипы, имеющие в среднем до 2% нерабочих ячеек — это обычная технологическая норма. Но со временем их количество может увеличиваться (окружающую среду в этом винить особо не стоит — электромагнитное, физическое (тряска и т. п.) влияние флэш-чипу не страшно). Поэтому, как и в жестких дисках, во флэш-памяти предусмотрен резервный объем. Если появляется плохой сектор, функция контроля подменяет его адрес в таблице размещения файлов адресом сектора из резервной области.

Собственно, выявлением бэдов занимается алгоритм ECC — он сравнивает записываемую информацию с реально записанной. Также в связи с ограниченным ресурсом ячеек (порядка нескольких миллионов циклов чтения/записи для каждой) важно наличие функции учета равномерности износа. Приведу такой редкий, но встречающийся случай: брелок с 32 Мбайт, из которых 30 Мбайт заняты, а на свободное место постоянно что-то записывается и удаляется. Получается, что одни ячейки простаивают, а другие интенсивно исчерпывают свой ресурс. Чтобы такого не было, в фирменных устройствах свободное пространство условно разбивается на участки, для каждого из которых осуществляется контроль и учет количества операций записи.

Еще более сложные конфигурации класса «все-в-одном» сейчас широко представлены такими компаниями как, например, Intel, Samsung, Hitachi и др. Их изделия представляют собой многофункциональные устройства, реализованные в одной лишь микросхеме (стандартно в ней имеется процессор, флэш-память и SDRAM). Ориентированы они на применение в мобильных устройствах, где важна высокая производительность при минимальных размерах и низком энергопотреблении. К таким относятся: PDA, смартфоны, телефоны для сетей 3G. Приведу пример подобных разработок — чип от Samsung, объединяющий в себе ARM-процессор (203 МГц), 256 Мбайт NAND памяти и 256 SDRAM. Он совместим с распространенными ОС: Windows CE, Palm OS, Symbian, Linux и имеет поддержку USB. Таким образом на его основе возможно создание многофункциональных мобильных устройств с низким энергопотреблением, способных работать с видео, звуком, голосом и прочими ресурсоемкими приложениями.

Другим направлением совершенствования флэш является уменьшение энергопотребления и размеров с одновременным увеличением объема и быстродействия памяти. В большей степени это касается микросхем с NOR архитектурой, поскольку с развитием мобильных компьютеров, поддерживающих работу в беспроводных сетях, именно NOR-флэш, благодаря небольшим размерам и малому энергопотреблению, станет универсальным решением для хранения и выполнения программного кода. В скором времени в серийное производство будут запущены 512 Мбит чипы NOR той же Renesas. Напряжение питания их составит 3,3 В (напомню, хранить информацию они могут и без подачи тока), а скорость в операциях записи — 4 Мбайт/сек. В то же время Intel уже представляет свою разработку StrataFlash Wireless Memory System (LV18/LV30) — универсальную систему флэш-памяти для беспроводных технологий. Объем ее памяти может достигать 1 Гбит, а рабочее напряжение равно 1.8 В. Технология изготовления чипов — 0,13 нм, в планах переход на 0,09 нм техпроцесс. Среди инноваций данной компании также стоит отметить организацию пакетного режима работы с NOR-памятью. Он позволяет считывать информацию не по одному байту, а блоками — по 16 байт: с использованием 66 МГц шины данных скорость обмена информацией с процессором достигает 92 Мбит/с!

Что ж, как видите, технология развивается стремительно. Вполне возможно, что к моменту выхода статьи появится еще что-нибудь новенькое. Так что, если что — не взыщите 🙂 Надеюсь, материал был вам интересен.

Продукция Spansion войдет в линейку быстрой flash-памяти Cypress после слияния компаний

Cypress Semiconductor получила первые плоды от 5-млрд сделки, заключающейся в поглощении компании Spansion. Новые чипы памяти с ёмкостью 256 Мбит войдут в линейку Spansion NOR HyperFlash.

HyperFlash – высокоскоростная архитектура памяти с производительностью чтения до 333 Мбит/с при напряжении питания 1,8 В. Она предназначена для перехода от интерфейса Quad SPI к dual Quad SPI и далее, к памяти HyperFlash. В новой линейке несколько версий с напряжением питания 3,0 и 1,8 В и ёмкостью: 128, 256 и 512 Мбит, пишет Datasheet.su .

По мнению специалистов Cypress, по мере распространения оборудования с постоянно активным состоянием в автомобильной, промышленной и телекоммуникационной электронике намечается спрос на высокопроизводительную флэш-память с малым числом выводов. Интерфейс HyperBus, предназначенный для подобной памяти, был представлен Spansion в прошлом году.

На текущий момент уже анонсирована поддержка интерфейса HyperBus в микроконтроллерах Freescale MAC57D5xx Automotive DIS, Cypress FM4 S6E2DH, Cypress Traveo S6J324C и S6J326C (автомобильное назначение).

Эффективный 12-контактный интерфейс HyperBus представлен 8-разрядной шиной данных/адреса, 2-мя дифференциальными тактовыми сигналами, одним выводом для выбора чипа и одним – для чтения данных. Сокращённое число выводов способствует снижению стоимости систем.

Новый чип памяти S26KL256S HyperFlash выпускается в корпусе с монтажной площадью 48 кв.мм. и 24 шариковыми выводами. Компонент имеет расширенный температурный диапазон от -40 до +125 ºC.

Читайте также последние новости электроники

В настоящее время при создании квантовых, нейроморфных и прочих подобных систем достаточно широко используются сверхпроводники, материалы, имеющие нулевое электрическое сопротивление при низких температурах.

Исследователи из Швейцарского федерального технологического института (Swiss Federal Institute of Technology, ETH) создали крошечный инфракрасный спектрометр, размеры которого позволяют уместить его на кристалле полупроводникового чипа, и который, тем не менее, «обеспечивает массу интересных возможностей».

Компания Xilinx, один из ведущих производителей чипов программируемой логики (FPGA), побила собственный рекорд, выпустив новый чип под названием Virtex Ultrascale+ VU19P.

Инженеры из Массачусетского технологического института и специалисты известной компании Analog Devices совместными усилиями создали первый полностью программируемый 16-разрядный микропроцессор на углеродных нанотрубках.

Разработчики современных оптических устройств всеми силами пытаются сделать эти устройства все меньшими и меньшими.

Непосвященные люди считают, что электрический ток течет совершенно одинаково через одинаковые компоненты наших электронных устройств.

Ученые-физики из Стэнфордского университета создали устройство, которое можно назвать термином «квантовый микрофон», чувствительность которого достаточно высока для того, чтобы при его помощи можно было измерить параметры отдельных звуковых частиц, называемых фононами.

В этом году компания Asus отмечает свою 30-ю годовщину и, поскольку эта компания в 1989 году начала свою деятельность именно с производства компьютерных материнских плат, она представила свое видение того, какими будут материнские платы следующих поколения спустя некоторое время.

Группа ученых, в которую входили Ральф Меркл (Ralph Merkle) и Роберт Фреитас (Robert Freitas), продемонстрировала, что при помощи нескольких базовых мироэлектромеханических компонентов может быть создана полноценная тьюринговая вычислительная система.

Технология редактирования генома CRISPR разрабатывалась изначально с целью обеспечения лечения и профилактики генетических заболеваний, но позже эта технология, превратившаяся в мощный инструмент, нашла применение и в некоторых других областях, включая синтетическую биологию.

Книги по электронике

Эта книга является логическим продолжением первой книги издательств «Ремонт и Сервис 21» и «СОЛОН-ПРЕСС» (серия РЕМОНТ, выпуск 93) по теме программного ремонта сотовых телефонов. В этом издании приводятся материалы по инженерному программированию и ремонту более 120 моделей телефонов SAMSUNG и около 100 — MOTOROLA. В книге рассматриваются программные пакеты, которые широко распространены как среди профессионалов, так и начинающих.

Учебное пособие разработано на основе Федерального государственного образовательного стандарта среднего профессионального образования по профессии 13.01.10 «Электромонтер по ремонту и обслуживанию электрооборудования (по отраслям)», укрупненная группа профессий 13.00.00 «Электро- и теплотехника», входящей в список.

Spansion: лидер рынка памяти NOR

Интервью с Джозефом Хэрейнером (Josef Harreiner), менеджером по работе с дистрибьюторами в Центральной и Восточной Европе и странах СНГ.

— Расскажите, пожалуйста, о вашей компании.

— Spansion — это совместное предприятие Fujitsu иAMD. В 1993 году производство флэш-памяти было выделено в отдельный бизнес, и несколько заводов этих компаний были переданы Spansion. Первоначально оно называлось FASL — Fujitsu-AMD Semiconductor Limited. Затем в 2005 году совместное предприятие было переименовано. Сегодня компания является мировым лидером в области производства флэш-памяти по технологии NOR.

— Какие еще компании являются ведущими игроками в данном сегменте?

— Микросхемы флэш-памяти обычно разделяют на две больших группы — NOR и NAND. В секторе NOR Spansion является однозначным лидером. Если объединить эти группы и говорить про флэш-память вообще, то компанией № 1 в мире будет Samsung. Компания Spansion занимается только NOR-направлением, поэтому в общем мы занимаем второе место, являясь при этом безусловным лидером в своем секторе рынка. Второе место в NOR-секторе — у Intel, третье — у STMicroelectronics. Распределение долей здесь следующее: Spansion — 30,4%, Intel — 22%, ST — 16%.

— Кто основной потребитель этой продукции? Компьютерная отрасль?

— Мы выделяем в нашей компании бизнес-единицы по направлениям использования. Первая группа — беспроводные технологии, это мобильные устройства, сотовые телефоны и т. д. Вторая — CSID-направление, куда входят все индустриальные применения, включая и автомобильное производство, телекоммуникации, автоматику и даже такие изделия, как сет-топ-боксы (приставки для приема цифрового телевещания). Третья — это массовые устройства хранения информации, в частности SIM-карты высокой плотности. Первые две группы являются для нас основными, они составляют почти 99% всего бизнеса, а третья группа создана недавно — в середине прошлого года, поэтому объемы продаж еще несущественные. Но этот рынок подает определенные надежды. В первых двух группах половина — это сотовые телефоны: довольно большой бизнес для нас. Сегодня почти в каждом мобильном телефоне вы найдете нашу флэш-память. При этом, наиболее интересное направление для насэто CSID, здесь можно выделить три крупные группы — автомобильная, телекоммуникации и бытовые изделия, такие как цифровые телевизоры, цифровые телевизионные приставки и т. д.

— Какова динамика мирового рынка микросхем памяти?

— В прошлом году наш оборот составил $2,6 млрд. В настоящий момент это порядка $22 млрд. Рост здесь происходит, в основном, за счет флэш-памяти высокой емкости, которая используется в любых применениях, где нужно хранить большие объемы информации, будь то графика, звуковые и видеофайлы.

Мы единственная компания, которая производит всю возможную линейку — от емкости в 1 Мбит до 1 Гбит в монолитном исполнении, то есть на одном кристалле. Флэш-память, которая используется в мобильных устройствах, как правило, имеет напряжение питания 1,8 В, наиболее распространено напряжение 3,3 В, а некоторые заказчики, например, производители автомобильной электроники, до сих пор требуют для своей продукции обеспечить питание 5 В, и мы производим микросхемы по всем технологиям.

Сильная сторона Spansion состоит в том, что мы производим продукты с длинным жизненным циклом. Например, 1-Мбит память сделана 14 лет назад, и производят ее до сих пор. Для многих заказчиков это очень важно, и они закладывают в состав устройства то, в чем будут уверены. То есть мы, таким образом, сочетаем гибкость и возможность одновременно производить в течение длительного времени старые продукты, и быть лидерами в инновационной области, производя самые передовые изделия с высокой емкостью. Каким образом нам удается это совмещать? Мы используем две технологии. В прошлом одна из них называлась «технология с плавающим затвором». Это довольно сложная структура, подверженная всевозможным ошибкам при ее создании: здесь много таких мест, где может возникнуть дефект. Мы создали технологию, которую назвали MirrorBit. В обычной ячейке хранится 1 бит информации, в ячейке MirrorBit хранится 2 бита.

— Расскажите, пожалуйста, о технологии Higher Density.

— Сейчас SIM-карты имеют емкость по отношению к классическим в тысячу раз больше — до 128 Мбайт и, как правило, включают в себя флэш-память и процессорное ядро. Технология Higher Density позволяет интегрировать процессорную часть на одном кристалле.

— Мировой рынок памяти сконцентрирован?

— 10 лет назад на этом рынке было множество игроков, но почти все они сейчас ушли, остались 3 больших игрока в секторе NOR — это Intel, Spansion и ST. Samsung здесь пока еще не очень значима, но имеет все ресурсы и намерения тоже войти в этот сегмент. Есть еще несколько маленьких компаний с ограниченным набором продуктов. «У подножия пирамиды» — несколько компаний, в основном азиатских, с продукцией очень низкого качества, низкой емкости и низкой ценой.

Читайте также  Идентификатор типа и выводов биполярных транзисторов на pic

— Что вы думаете о совместном предприятии Intel и STMicroelectronics?

— На первом этапе для нас это очень хороший шанс. До создания этого СП и у Intel, и у ST была возможность при продаже своих процессоров продавать в нагрузку свою же флэш-память. Теперь совместное предприятие отделяют от основных компаний. Сейчас Spansion и новое предприятие начинают играть на одном и том же поле, бороться одним и тем же оружием. Обе эти компании были вторым поставщиком друг для друга, поэтому заказчик всегда имел возможность, заложив в свою разработку флэш-память, покупать либо у Intel, либо у ST и иметь более стабильную ситуацию. Теперь если они закладывают эту архитектуру, эту разводку, то заказывают фактически один канал поставки на одного поставщика, то есть рискуют. И еще у нас есть информация, что это новое совместное предприятие будет концентрироваться на рынках беспроводной связи. Пока мы не можем ничего определенного сказать о стратегии новой компании, но с большой долей вероятности можно утверждать, что они снимут с производства старые флэш-микросхемы маленькой емкости.

— То есть получится, что только у вас останутся эти микросхемы, или в ту нишу сразу же пойдут небольшие компании?

— Конечно, такие компании попытаются этим заняться, но у них не будет высокого качества продукции и широкой номенклатуры. Поэтому мы считаем, что у нас есть все шансы доминировать в этой области. Но в течение нескольких лет, если это совместное предприятие заработает, конкуренция серьезно обострится. Однако в ближайшие годы мы ожидаем, что эта связка потеряет некоторую долю рынка, которая станет нашей.

— Последние 10 лет, в связи с развитием технологии, стоимость 1 Мбайт памяти непрерывно падает, причем быстро. Что будет дальше? Сохранится ли эта тенденция, или мы выйдем на какую-то площадку?

— Здесь есть два рынка. Первый — старые продукты малой емкости. Цена на них будет более или менее стабильной. Второй — микросхемы высокой емкости, начиная с 64–128 Мбит. В этой области заказчики, к сожалению, ожидают постоянного снижения цен. Поэтому приходится быть настолько же динамичными, насколько таким является рынок, и каждые 2 года производить перевод продуктов на новые технологические нормы, чтобы уменьшить площадь кристалла и иметь возможность снижать цену так, как этого ожидает рынок. Мы надеемся, что снижение цены в ближайшие 2 года будет менее динамичным, чем оно было в предыдущие годы. И когда производителей будет меньше, возможно, будет немного легче обуздать бесконтрольное падение цен.

Мы считаем, что когда появится совместное предприятие Intel и ST, они постараются стабилизировать или поднять цены. Хороший шанс и для нас стабилизировать цены и прекратить их падение. Заказчики ожидают, что мы будем предлагать им постоянно новые технологии, новые устройства и при этом будем настолько же динамично снижать цену, что не совсем совместимо с инвестициями. На это все нужны деньги, и необходимо еще зарабатывать. Мы сейчас строим новую фабрику, чтобы увеличить производственные мощности, стоимость достаточно высока. Прибыльное ли это дело? Нет, многие теряют деньги.

— Не будет ли сегмент малоемкостной памяти в конце концов «убит» появлением контроллеров с флэш-памятью? Ведь сейчас флэш уже на борту.

— Технологически флэш-память и логическое ядро не очень хорошо совмещаются в одном кристалле. В любом случае, когда делается встроенная флэш-память, она получается всегда более дорогой, чем отдельная.

— Если смотреть по кристаллу — то да. Но его нужно монтировать, для него необходимо место на плате и так далее.

— Поэтому где-то посередине между двумя крайностями есть точка компромисса, которая зависит от конкретного применения, где аргументы либо в одну, либо в другую сторону перевешивают. Но мы не производим технологического усовершенствования 1- и 2-мегабайтных кристаллов, они выпускаются по той же технологии, что и раньше. Мы начинаем вкладывать в разработку новых уменьшенных версий только начиная с 4 Мбит. Снимать их мы не планируем, но и развивать тоже. Например, автомобильные заказчики до сих пор покупают 4-Мбит и 5-В флэш-микросхемы. И до тех пор пока они покупают, и это прибыльно для Spansion, мы будем продолжать их производить.

— Ведущие компании — производители электронных компонентов — вкладывают очень большие деньги в разработки, на это уходит до 10–15% оборота. Какова ситуация у вас?

— Примерно в тех же рамках. В прошлом году было инвестировано $400 млн в разработки. Сейчас мы переходим со 110 на 90 и на 65 нм, дальше планируется — на 45 и 32 нм.

— С какого периода?

— В 2008 году на 65 нм, в 2009 году — на 45, в 2010 году — на 32 нм. То есть следующий шаг происходит примерно каждый год

— Все производство идет на собственных фабриках Spansion?

— 90%. Мы также сотрудничаем с TSMC, но только как фаундри для кристаллов. То есть пластины частично заказываются там, но потом возвращаются на корпусирование. И это при пиковом потреблении, когда собственных мощностей недостаточно. Что касается нашего производства, то у нас одна фабрика находится в Остине (США) и одна в Японии — 100% принадлежат Spansion, еще две фабрики — это совместное предприятие с Fujitsu, здесь производятся старые продукты, а также мы построили новую фабрику для производства 300-мм пластин. Это современная и мощная фабрика, производство начнется в конце этого года.

— Производители флэш-памяти исповедуют идеологию производства на собственных фабриках в отличие от других производителей полупроводников, которые достаточно часто или полностью производят свои изделия по аутсортингу, так?

— Отличие в том, что техпроцесс производства флэш-памяти уникален и отличается от стандартного производства тех же контроллеров.

— Производители флэш-памяти больше производители, чем разработчики.

— Флэш-память очень просто разработать, но непросто производить. Довести разработку до массового производства — это основная задача.

— Поговорим о работе Spansion в нашей стране. Значительного количества приложений, особенно требующих очень мощных микросхем памяти, на российском рынке не существует. Чему в России вы будете уделять особое внимание?

— Российский рынок развивается весьма динамично, мы постоянно видим открывающиеся новые возможности или можем предсказать их появление для нас. Например, внедрение цифрового телевидения и необходимость в большом количестве телевизоров и телевизионных цифровых приставок, или для того, чтобы обеспечить массу людей Интернетом и модемами. Это уже достаточно мощные направления, которые могли бы нас заинтересовать. Мы ожидаем в течение следующих лет в вашей стране развития традиционных рынков — например, автомобильного. С учетом небольшой миграции с того, где сейчас используется флэш-память, в сторону дополнительных устройств. Это, например, навигация приборной панели или устройства развлечения в автомобиле и конверторы цифрового телевидения. Плюс все стандартные промышленные нишевые применения, которые есть и будут всегда. И, конечно, будут создаваться новые. Поэтому нам чрезвычайно важно в этот момент присутствовать на российском рынке и правильно действовать в период динамичного развития. Наше присутствие здесь в данный момент определит наше участие в развивающихся видах бизнеса в будущем.

Если до этого вся высокотехнологичная продукция для потребителя приходила из Юго-Восточной Азии, сейчас все больше российских компаний имеет возможность составить им серьезную конкуренцию. И еще одно замечание: несколько лет назад мы наблюдали исход производства из Западной Европы на Восток, в такие страны, как Венгрия. Потом мы наблюдали переход в Юго-Восточную Азию, сейчас мы видим иногда обратные попытки. Ситуация такова, что продукция, которую необходимо выпускать большими тиражами и очень дешево, останется вЮго-Восточной Азии. Если требуется качество, надежность, какие-то другие критерии или если существуют какие-то ограничения, то можно выбрать страны Восточной Европы и Россию.

HyperRAM: использование микросхемы с интерфейсом памяти HyperBus

Продолжаем знакомить читателей Хабра с «нестандартными» типами памяти для разработки электроники. В прошлый раз мы рассказывали о гибридном кубе памяти (HMC) и его подключении к FPGA, а в этой статье сфокусируемся на микросхемах памяти с интерфейсом HyperBus от Cypress, которые появились на рынке относительно недавно, в 2014 году.

Сейчас доступно две разновидности устройств: HyperRAM и HyperFLASH. HyperRAM — это псевдо-статическая память (DRAM + схема перезаряда в одном чипе), а HyperFLASH — это NOR-флэш-память с интерфейсом HyperBUS. Также доступны комбинированные чипы 2 в 1: HyperFLASH 512Mb + HyperRAM 64Mb. Ценность современных решений заключается в малом числе сигналов, мелком футпринте, достаточно большой скорости работы и адекватной цене.

Например, вот как компания Cypress (основной продвиженец HyperBUS) видит следующее поколение этих чипов памяти в автомобильной электронике в главе со своим контроллером:

То есть Cypress предлагает всю внешнюю память заменять одним чипом. И в целом это предложение не безосновательное, особенно для проектов с жесткими требования к размерам плат.

Несмотря на ряд преимуществ по сравнению с SRAM, DRAM и обычными FLASH, широкого внедрения HyperBUS решений пока не произошло, так как еще недавно — прошлом году — такие устройства поддерживались только одним микроконтроллером от Cypress (ну и FPGA, конечно). Сейчас дело движется вперед и всё больше микроконтроллеров обеспечивает его поддержку.

Две недели назад, 5 декабря 2017 года, компания Cypress анонсировала включение интерфейса памяти HyperBus в стандарт xSPI (eXpanded SPI), разработку которого координирует JEDEC, комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции. Стандарт xSPI определяет требования к совместимости высокопроизводительных последовательных интерфейсов, чтобы производители контроллеров и чипсетов могли разрабатывать универсальный контроллер памяти. Включение интерфейса HyperBus в стандарт JEDEC xSPI должно упростить проектирование памяти на основе HyperBus и обеспечить большую гибкость в реализации функций мгновенного включения (insant on) при разработке электроники для автомобилей, промавтоматики и интернета вещей (IoT).

Микросхемы с интерфейсом памяти HyperBus очень перспективные, и мы спешим поделиться опытом их применения в одном из наших проектов.

Описание задачи

Прежде чем переходить к рассказу об интерфейсе поясним, в какой задаче он был применен. В очередной разработке мы должны были обеспечить вывод данных на внешнее устройство с минимальной латентностью и достаточно большой пропускной способностью. При этом места на плате не то чтобы нет, его совсем нет. На платку размером со спичечный коробок требовалось уместить процессор с Линуксом на борту, плюс соответствующую обвязку, USB-контроллер, ПЛИС, который собственно обращается к памяти и выдает данные наружу, и еще кое-какую специфическую начинку. Естественно, все компоненты проходили жесткий отбор.

В результате выбор микросхемы памяти пал на HyperRAM. Параметры: количество сигналов для подключения к FPGA — 12; максимальная латентность — 36 нс; пропускная способность — 333 MБ/с; объем — 8 МБ; корпус —6x8x1.2 mm TF-BGA.

Для сравнения: SRAM аналогичного объема потребует 35 линий, а SDRAM — и того больше. При этом SRAM будет стоить на порядок больше, чем HyperRAM, а SDRAM потребует титанических усилий трассировщика и приведет к существенному удорожанию печатной платы.

Требование к минимизации латентности не позволяло воспользоваться высокоуровневыми IP-модулями сторонних разработчиков (типа AVALON HyperBus с конвейеризацией и шедулингом). В итоге наша задача сводилась к разработке специализированного IP-модуля для работы с HyperRAM.

Разработка модуля проводилась на отладочной плате HyperMAX от devboards. Плата содержит два интересных устройства: HyperRAM и HyperFLASH от ISSI. Помимо этого плата напичкана разными плюшками, ориентированными на применение в автомобильной электронике.


Cтоит отметить, что имеющиеся на рынке IP-модули поддерживают работу с HyperBUS по интерфейсам AXI4 и AVALON, а также декларируют возможность исполнения программ софтварных процессоров непосредственно с HyperFLASH [например].

300 евро, отладка сыровата. Но, как говорится, «при всем богатстве выбора другой альтернативы нет».

Дальше опишем работу с микросхемой HyperRAM. Взаимодействие с HyperFLASH организовано аналогичным образом, но с некоторыми упрощениями.

Память HyperRAM

Микросхема HyperRAM — это высокоскоростная DRAM-CMOS-память, работающая по интерфейсу HyperBUS со встроенным механизмом перезарядки. Схема перезаряда работает, когда не осуществляется операций чтения/записи. В результате с точки зрения хоста, память выглядит статической и называется псевдо-статической памятью (PSRAM).

HyperBus — это DDR-интерфейс, который позволяет добиться высокой скорости чтения/записи при использовании малого числа сигналов. Данные передаются по 8-битной шине 16-битными словами за один такт. Все линии LV-CMOS-совместимы. Устройства выпускаются двух модификациях напряжения питания: 1,8 В и 3,0 В.

Согласно спецификации, интерфейс HyperBUS содержит обязательные и опциональные сигналы.

Основные сигналы интерфейса HyperBUS

В нашем случае использовались только обязательные (см. рисунок выше):

  • CS# — сигнал выбора устройства. Наличие сигнала выбора микросхемы позволяет объединять несколько устройств одной шиной с архитектурой мастер-слэйв.
  • CK/CK# — синхросигнал. Устройства питаемые напряжением 3 В синхронизируются по одной линии CK на частотах не более 100 МГц, с питанием 1,8 В — дифференциальной парой CK/CK# на частотах до 166 МГц.
  • DQ[7:0] — двунаправленная шина данных.
  • RWDS — многофункциональный двунаправленный сигнал (Read Write Data Strobe).
Читайте также  Восстановление кислотных аккумуляторов

Сигнал RWDS выполняет следующие функции:

  • В начале транзакции драйвится памятью и указывает на требуемую латентность перед выдачей/запись данных: 0 — однократная задержка; 1 — двукратная задержка (initial read/write latency).
  • В транзакциях записи в процессе выдачи данных драйвится хостом и маскирует байты, которые не должны быть изменены.
  • В транзакциях чтения в процессе выдачи данных драйвится памятью и синхронизирует данные (source syncronous read data strobe).

О латентности и синхронизации будет сказано ниже.

Обмен данными с устройством происходит в виде транзакций: мастер ассертит чип-селект, подает синхросигнал, выдает управляющие байты, ожидает несколько тактов, обменивается данными, останавливает синхронизацию, деассертит чип-селект.

В первых трех тактах хост передает 6 управляющих байт транзакции (COMMAND-ADRESS или CA). Не вдаваясь в подробности, просто перечислим параметры:

  • Тип транзакции: чтение или запись.
  • Адресное пространство: память или управляющие регистры.
  • Тип последовательности записи/чтения: линейная (linear) или пакетная (burst).
  • Адрес начала обращения к памяти в столбцах и строках.

Поскольку ячейки памяти не могут быть перезаряжены в ходе транзакции обмена данными, накладываются ограничения на длительность одной транзакции (transaction duration) и задержки между ними (initial latency).

Одновременно с передачей CA память выставляет на линии RWDS индикатор латентности: сколько тактов нужно выждать, прежде чем выдать данные на запись, или получить данные на чтение. О значении количества тактов узнаем из управляющего регистра. Это значение определяется памятью самостоятельно в зависимости от частоты тактирования. Если RWDS в «0» ожидаем требуемое количество тактов один раз, если в «1» — два раза. Настройками регистров устройства можно установить, чтобы память всегда работала по двойному интервалу задержки, и задать количество тактов отличное от значения по умолчанию (но это значение не должно быть меньше исходного).

В транзакции записи после ожидания необходимого числа тактов хост выставляет на шину записываемые данные:


Транзакция записи

Данные захватываются памятью по обоим фронтам синхросигнала, соответственно выставление данных в выходной DDR-регистр происходит по клоку, сдвинутому на 270 градусов. Сигнал RWDS в процессе передачи данных маскирует байты, которые не должны изменяться памятью в процессе записи. При записи слова в управляющие регистры его необходимо выдавать сразу после СА без какой либо задержки.

В транзакции чтения данные выставляются памятью:


Транзакция чтения

Изменение данных на шине синхронизируются обоими фронтами сигнала RWDS. Также следует не забывать, что выдаваемые памятью данные синхронизированы сигналом RWDS по фронту. В результате, для корректного чтения следует сдвигать RWDS на 90 градусов:


Задержка сигнала RWDS относительно сигнала данных

Запись/чтение данных начинается с адреса, указанного в CA. Адрес с каждым принятым/выданным словом инкрементируется на 2. Транзакция завершается после останова синхросигнала и деассерта чип-селекта.

Отметим несколько особенностей работы. Первое: при переходе адреса через максимальное значение, данные начинают выдаваться/записываться неопределенным образом. Поэтому не стоит обращаться к памяти транзакциями, которые переполняют счетчик адреса. Второе: микросхема ограничивает длительность транзакции, поскольку требуется периодическая перезарядка элементов памяти. Максимальные длительности зависят от температуры и приведены в спецификации. В самом жестком случае за одну транзакцию на скорости 166МГц можно прочитать/записать чуть более 300 байт.

Устройство имеет два регистра: информационный и конфигурационный. Информационный регистр дает нам информацию о производителе и типе устройства (HyperRAM/HyperFLASH), количестве строк, столбцов и кристаллов устройства. Конфигурационный регистр позволяет конфигурировать выходной импеданс, длину пакета в режиме пакетного обращения к данным, тип латентности (постоянная/переменная), а также позволяет задать значение задержки и перевести устройство в режим низкого энергопотребления (Deep Power Down).

С первого взгляда может возникнуть вопрос: а как мне прочитать значение конфигурационного регистра с информацией о задержке, если эта задержка на момент чтения неизвестна? Для этого необходимо принять во внимание, что выдача данных синхронизируется памятью по линии RWDS. И, по сути, фактическое значение задержки нигде не учитывается, так как схема захвата данных — source-synchronous. А в транзакции записи, напротив, мы должны считать такты перед выдачей данных в зависимости от значения латентности и состояния сигнала RWDS.

Вот пример разбора значений конфигурационных регистров:

Популярность экранов AMOLED повлечёт рост цен на память NOR-флеш

Неожиданно, но дефицит грозит даже флеш-памяти NOR, которая к настоящему времени утратила былую популярность. Около десяти лет назад соревнование между NOR и NAND памятью было вчистую проиграно памятью NOR-флеш. Последняя характеризуется более сложной структурой ячейки памяти, состоящей из нескольких транзисторов, тогда как память NAND — это ячейка из одного транзистора и одного конденсатора. Из-за этого плотность NAND росла очень быстро.

Сегодня, например, массово выпускаются 64 Гбит чипы NAND-флеш, тогда как NOR-флеш покорила объёмы всего-то до 128 Мбит на кристалл. Зато память NOR намного быстрее NAND и устойчивее к износу, что было востребовано в авиации, в автомобильной электронике, в сетевом оборудовании и в тому подобных продуктах. Как результат, производство NAND росло как на дрожжах, а выпуск NOR сокращался. Та же компания Intel, к примеру, избавилась от бизнеса по выпуску NOR-флеш, хотя до 2004 года была одним из лидеров этого направления. Теперь, как выясняется, памяти NOR грозит дефицит, который затронет массового пользователя.

Дело в том, что при производстве экранов AMOLED и LCD-экранов со встроенными датчиками касания память NOR пока ничем экономически выгодным заменить нельзя. До тех пор, пока всё это выпускалось в сравнительно небольших объёмах, дефицита не было. Если к выпуску смартфонов с AMOLED подключится компания Apple, а в этом почти нет сомнения, а также в связи с ожиданием роста популярности In-Cell панелей с драйверами TDDI (Touch with Display Driver Integration), спрос на NOR возрастёт многократно. Этот спрос, уверены аналитики компании TrendForce, приведёт к ежеквартальному росту цен на память NOR в среднем на 5 % в течение всего 2017 года.

Galaxy S8 и Galaxy S8+ с экранами AMOLED

В дисплеях AMOLED память NOR используется для хранения кода коррекции производственных дефектов. Производство AMOLED очень сложное и сопровождается значительным уровнем брака, который автоматически отслеживается и компенсируется записью в память с последующим взаимодействием с драйвером дисплея. Что касается драйверов TDDI, то прошивка для поддержки встроенных в дисплей сенсорных панелей слишком велика, чтобы её хранить в драйвере дисплея. Поэтому на помощь вновь приходит быстрая память типа NOR.

Meizu Pro 6 Plus с экраном AMOLED

В настоящее время лидерами рынка памяти NOR считаются компании Cypress Semiconductor (25 % рынка), Macronix (24 %) и Micron (18 %). Самую ёмкую 128/64 Мбит память NOR выпускают Micron и Cypress. Компании Winbond и Macronix выпускают NOR ёмкостью 16, 32 и 64 Мбит. Китайская компания GigaDevice выпускает NOR в диапазоне от 512 Кбит до 2 Мбит. Все они, докладывают аналитики, по тем или иным причинам не способны нарастить выпуск памяти NOR, поэтому дефицита и роста цен не избежать. Само собой, это также повлечёт некоторый рост цен на конечную продукцию — смартфоны или, по крайней мере, можно не ждать быстрого снижения цен на новинки с AMOLED.

Lite-On применила NOR-память в своих SSD

Компания Lite-On Storage применила альтернативный подход к проектированию твердотельных накопителей. Наряду с традиционной флеш-памятью типа NAND разработчики использовали NOR-чипы в своих SSD корпоративного уровня, а также в моделях для ЦОД.

SSD нашли широкое применение в ЦОД

В операциях случайного доступа память NOR по производительности опережает NAND. Традиционно она использовалась для хранения критически важных данных. Компания Lite-On выбрала NOR для хранения низкоуровневого программного обеспечения, а также SMART-данных.

Lite-On применила NOR-память в SSD для ЦОД

И дело, кстати, не только в производительности. По данным организации JEDEC Solid-State Technology Association, сохранность данных, записанных в NAND, имеет ограниченный период в случае, если память отключена от электроэнергии и не используется длительное время. Например, если ваш SSD лежит на полке больше года, то есть высокий шанс, что данные будут повреждены. А так как «прошивка» лежит на тех же NAND-микросхемах, то и работа накопителя в целом также будет нарушена.

Как отмечают специалисты Lite-On, NOR память имеет другие преимущества перед NAND для корпоративных приложений. Количество циклов перезаписи для памяти этого типа выше. Типичное значение этого показателя для NAND составляет более трёх тысяч циклов, тогда как для NOR — до 100 тыс. Что касается сохранности данных, то NOR позволяет не беспокоится об этом даже при простое SSD в течение 20 лет.

Micron анонсировала флеш-память XTRMFlash

Компания Micron Technology анонсировала свою новую память XTRMFlash, которая вводит новый скоростной стандарт среди технологий Flash NOR. Эти чипы характеризуются высочайшей производительностью и могут использоваться в промышленных приложениях, автоматике и потребительской электронике.

При высокой производительности XTRMFlash отличается компактностью и имеет на 75 % меньше контактов по сравнению с традиционными чипами Parallel NOR, доступными сегодня на рынке. Интерфейс XTRMFlash обратно совместим с SPI NOR, что позволяет разработчикам обновлять свои решения без особых усилий. Время случайного доступа достигает 83 нс, а последовательное чтение байта занимает всего 2,5 нс (то есть скорость чтения составляет до 400 Мбайт/с). XTRMFlash окажется полезной в приложениях, в которых требуется быстрый запуск и мгновенный отклик. В частности, она найдёт применение в IoT-устройствах, уверены в Micron. Предлагаются чипы с плотностью от 128 Мбит до 2 Гбит.

NOR-память Micron следующего поколения

Для продвижения своей новой памяти Micron тесно сотрудничает с Cadence Design Systems и Synopsis. Первым производителем, подписавшим с Micron лицензионное соглашение на разработку XTRMFlash-совместимых устройств, стала компания Winbond Electronics.

Son of Nor — управление силой мысли с Emotiv EPOC

В начале месяца австрийская студия StillAlive анонсировала приключенческую игру Son of Nor, действие которой разворачивается в пустынном мире, менять облик которого геймеры смогут с помощью магии и телекинеза. Она рассчитана как на одиночное, так и на совместное прохождение (до четырех игроков) и объединяет в себе различные типы игрового процесса — от решения головоломок до сражений с врагами.

Несмотря на то, что кампания по сбору средств на разработку игры в сервисе Kickstarter продвигается не очень успешно (из требуемых $150 тысяч за две недели собрано лишь $54 тысячи), создатели полны решимости довести проект до конца. Казалось бы, сама игра не представляет собой чего-то выдающегося, однако свой главный козырь разработчики достали из рукава лишь на этой неделе.

Реализовать управление сверхъестественными способностями героя создатели намерены с помощью периферийного устройства Emotiv EPOC от австралийской компании Emotiv Systems, известного разработчика электроники нейрокомпьютерных интерфейсов. Его получит в комплекте с игрой каждый, кто пожертвует студии хотя бы $300. EPOC представляет собой гарнитуру с 14 электродами, способными распознавать сигналы головного мозга, и позволяет воздействовать на игру мыслями, выражением лица, эмоциями и вращением головой. Это устройство, как создатели продемонстрировали в видеоролике, позволит осуществлять терраформирование, на котором построена концепция игры.

Стоит отметить, что направлять движения героя можно лишь посредством клавиатуры и мыши. Насколько удобной окажется такая тройная связка с учетом того, что EPOC какое-то время придется «обучать» распознаванию мыслей, геймеры смогут узнать в 2014 году — если студия все-таки соберет достаточно средств.

Материалы по теме:

Источник:

Цены на NOR-чипы стабилизируются в 2012 году

Согласно прогнозам отраслевых источников, цены на микросхемы флеш-памяти типа NOR, наконец, стабилизируются в текущем году. Отметим, в 2011 году NOR-чипы существенно подешевели.

В период со второй половины 2009 года до первой половины 2010 года отрасль NOR-памяти переживала свои золотые времена. На фоне мирового экономического возрождения и диверсификации приложений спрос на эти чипы стремительно рос. Так как объёмы производства не поспевали за ростом спроса, то цены уверенно ползли вверх.

Но уже во второй половине 2010 года ситуация резко изменилась. Рынок ПК показал спад, а за ним – и отрасль NOR-памяти. В 2011 году ситуация ухудшилась, а средняя продажная цена этих чипов снизилась на 50%.

Отраслевые аналитики убеждены, что в текущем году цены стабилизируются, чему поспособствует активно растущий рынок решений на базе флеш-памяти с последовательным интерфейсом. Свои продукты на основе NOR-чипов для смартфонов и Bluetooth-наушников представили компании Winbond Electronics, Macronix International.

Материалы по теме:

Источник:

Micron разработала новую быструю и ёмкую NOR-память

Компания Micron заявила о выпуске NOR-памяти с интерфейсом SPI (Serial Peripheral Interface), которая отличается высокими для своего класса производительностью и ёмкостью. Новые чипы имеют ёмкость от 256 до 1 Гбит и характеризуется скоростью чтения 54 Мбайт/с при работе на тактовой частоте 108 МГц.

Память, вошедшая в линейку N25Q, выпускается с использованием 65-нм проектных норм. Чипы работают при напряжении питания 1,8 или 3 В. Предусматривается возможность организации одиночного SPI-интерфейса, двух линий SPI (DSPI) или четырёх линий SPI (QSPI).

Микросхемы ёмкостью 256, 512 Мбайт и 1 Гбит уже поставляются заказчикам в ознакомительных целях. Новая память нацелена на рынок встраиваемых систем, сетевых устройств следующего поколения, приставок, различных автомобильных приложений.