Транзисторы кп301 — кп312

DataSheet

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Транзистор полевой КП312

Описание

Малошумящие СВЧ эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилителях и преобразовательных каскадах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды
— 60…+100°С.

Параметры транзистора КП312

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КП312А SFE264, BF410C *1 , BF410B *1 , BF511 *1 , 2SK242 *1
КП312Б 2SK11 *3 , 2SK12 *3 , 2SK15 *3 , 2SK49 *3 , 2SK92 *3 , BF410 *1 , КК3823 *3 , 2N4302 *1 , 2SK83 *1
Структура C p-n переходом и n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P * СИ, т max КП312А 100 мВт, (Вт*)
КП312Б 100
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). UЗИ отс, U * ЗИ пор КП312А 2..8 В
КП312Б 0.8…6
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U * ЗC max КП312А 20; 25* В
КП312Б 20; 25*
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП312А 25 В
КП312Б 25
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I * С, И КП312А 25 мА
КП312Б 25
Начальный ток стока IС нач, I * С ост КП312А ≤25 мА
КП312Б ≤7
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП312А 15 В 4…5.8 мА/В
КП312Б 15 В 2…5
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С * 12и, С * 22и КП312А ≤4; ≤1* пФ
КП312Б ≤4; ≤1*
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток
RСИ отк, K * у. P, P ** вых, ΔUЗИ КП312А 400 МГц ≥2* Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП312Б 400 МГц ≥2*
Коэффициент шума транзистора Кш, U * ш, E ** ш, Q *** КП312А 400 МГц ≤4 Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП312Б 400 МГц ≤6
Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F ** р, ΔUЗИ/ΔT КП312А нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП312Б

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Занимательные эксперименты: некоторые возможности полевого транзистора

Известно, что входное сопротивление биполярного транзистора зависит от сопротивления нагрузки каскада, сопротивления резистора в цепи эмиттера и коэффициента передачи тока базы. Порою оно бывает сравнительно небольшим, усложняя согласование каскада с источником входного сигнала. Эта проблема полностью отпадает, если использовать полевой транзистор, — его входное сопротивление достигает десятков и даже сотен мегаом. Чтобы поближе познакомиться с полевым транзистором, проделайте предлагаемые эксперименты.

Немного о характеристиках полевого транзистора. Как и у биполярного, у полевого три электрода, но называют их иначе: затвор (аналогичен базе), сток (коллектор), исток (эмиттер). По аналогии с биполярными полевые транзисторы бывают разной «структуры»: с р-каналом и n-каналом. В отличие от биполярных они могут быть с затвором в виде p-n перехода и с изолированным затвором. Наши эксперименты коснутся первых из них.

Основой полевого транзистора служит пластина кремния (затвор), в которой имеется тонкая область, называемая каналом (рис. 1,а). По одну сторону канала расположен сток, по другую — исток. При подключении к истоку транзистора плюсового, а к стоку минусового выводов батареи питания GB2 (рис. 1,б) в канале возникает электрический ток. Канал в этом случае обладает максимальной проводимостью.

Стоит подключить еще один источник питания — GB1 — к выводам истока и затвора (плюсом к затвору), как канал «сужается», вызывая увеличение сопротивления в цепи сток-исток. Сразу же уменьшается ток в этой цепи. Изменением напряжения между затвором и истоком регулируют ток стока. Причем в цепи затвора тока нет, управление током стока осуществляется электрическим полем (вот почему транзистор называют полевым), создаваемым приложенным к истоку и затвору напряжением.

Сказанное относится к транзистору с р-каналом, если же транзистор с n-каналом, полярность питающего и управляющего напряжений изменяется на обратную (рис. 1,в).

Чаще всего можно встретить полевой транзистор в металлическом корпусе — тогда, кроме трех основных выводов, у него может быть и вывод корпуса, который при монтаже соединяют с общим проводом конструкции.

Один из параметров полевого транзистора — начальный ток стока (Iс нач ), т. е. ток в цепи стока при нулевом напряжении на затворе транзистора (на рис. 2,а движок переменного резистора в нижнем по схеме положении) и при заданном напряжении питания.

Если плавно перемещать движок резистора вверх по схеме, то по мере роста напряжения на затворе транзистора ток стока уменьшается (рис. 2,б) и при определенном для данного транзистора напряжении снизится практически до нуля. Напряжение, соответствующее этому моменту, называют напряжением отсечки (UЗИотс ).

Зависимость тока стока от напряжения на затворе достаточно близка к прямой линии. Если на ней взять произвольное приращение тока стока и поделить его на соответствующее приращение напряжения между затвором и истоком, получим третий параметр — крутизну характеристики (S). Этот параметр нетрудно определить и без снятия характеристики или поиска его в справочнике. Достаточно измерить начальный ток стока, а затем подключить между затвором и истоком, скажем, гальванический элемент напряжением 1,5 В. Вычитаете получившийся ток стока из начального и делите остаток на напряжение элемента — получите значение крутизны характеристики в миллиамперах на вольт.

Знание особенностей полевого транзистора дополнит знакомство с его стоковыми выходными характеристиками (рис. 2,в). Снимают их при изменении напряжения между стоком и истоком для нескольких фиксированных напряжений на затворе. Нетрудно заметить, что до определенного напряжения между стоком и истоком выходная характеристика нелинейна, а затем в значительных пределах напряжения практически горизонтальна.

Конечно, для подачи напряжения смещения на затвор отдельный источник питания в реальных конструкциях не применяют. Смещение образуется автоматически при включении в цепь истока постоянного резистора нужного сопротивления.

А теперь подберите несколько полевых транзисторов серий КП103 (с р-каналом), КП303 (с n-каналом) с разными буквенными индексами и потренируйтесь в определении их параметров, пользуясь приведенными схемами.

Полевой транзистор — сенсорный датчик. Слово «сенсор» означает чувство, ощущение, восприятие. Поэтому можем считать, что в нашем эксперименте полевой транзистор будет выступать в роли чувствительного элемента, реагирующего на прикосновение к одному из его выводов.

Помимо транзистора (рис. 3), например, любого из серии КП103, понадобится омметр с любым диапазоном измерений. Подключите щупы омметра в любой полярности к выводам стока и истока — стрелка омметра покажет небольшое сопротивление этой цепи транзистора.

Затем коснитесь пальцем вывода затвора. Стрелка омметра резко отклонится в сторону увеличения сопротивления. Произошло это потому, что наводки электрического тока изменили напряжение между затвором и истоком. Увеличилось сопротивление канала, которое и зафиксировал омметр.

Читайте также  Курс arduino - датчики

Не отнимая пальца от затвора, попробуйте коснуться другим пальцем вывода истока. Стрелка омметра вернется в первоначальное положение — ведь затвор оказался соединенным через сопротивление участка руки с истоком, а значит, управляющее поле между этими электродами практически исчезло и канал стал токопроводящим.

Эти свойства полевых транзисторов нередко используют в сенсорных выключателях, кнопках и переключателях.

Полевой транзистор — индикатор поля. Немного измените предыдущий эксперимент — приблизьте транзистор выводом затвора (либо корпусом) возможно ближе к сетевой розетке или включенному в нее проводу работающего электроприбора. Эффект будет тот же, что и в предыдущем случае — стрелка омметра отклонится в сторону увеличения сопротивления. Оно и понятно — вблизи розетки или вокруг провода образуется электрическое поле, на которое и среагировал транзистор.

В подобном качестве полевой транзистор используется как датчик устройств для обнаружения скрытой электропроводки или места обрыва провода в новогодней гирлянде — в этой точке напряженность поля возрастает.

Удерживая транзистор-индикатор вблизи сетевого провода, попробуйте включить и выключить электроприбор. Изменение электрического поля зафиксирует стрелка омметра.

Полевой транзистор — переменный резистор. Подключив между затвором и истоком цепь регулировки напряжения смещения (рис. 4), установите движок резистора в нижнее по схеме положение. Стрелка омметра, как и в предыдущих экспериментах, зафиксирует минимальное сопротивление цепи сток-исток.

Перемещая движок резистора вверх по схеме, вы можете наблюдать плавное изменение показаний омметра (увеличение сопротивления). Полевой транзистор превратился в переменный резистор с очень широким диапазоном изменения сопротивления независимо от номинала резистора в цепи затвора. Полярность подключения омметра значения не имеет, а вот полярность включения гальванического элемента придется изменить, если будет использоваться транзистор с n-каналом, например, любой из серии КП303. Полевой транзистор — стабилизатор тока. Для проведения этого эксперимента (рис. 5) понадобится источник постоянного тока напряжением 15. 18 В (четыре последовательно соединенные батареи 3336 или сетевой блок питания), переменный резистор сопротивлением 10 или 15 кОм, два постоянных резистора, миллиамперметр с пределом измерения 3-5 мА, да полевой транзистор. Вначале установите движок резистора в нижнее по схеме положение, соответствующее подаче на транзистор минимального питающего напряжения — около 5 В при указанных на схеме номиналах резисторов R2 и R3. Подбором резистора R1 (если это понадобится) установите ток в цепи стока транзистора 1,8. 2,2 мА. Перемещая движок резистора вверх по схеме, наблюдайте за изменением тока стока. Может случиться, что он вообще останется прежним либо незначительно увеличится. Иначе говоря, при изменении питающего напряжения от 5 до 15. 18 В ток через транзистор будет автоматически поддерживаться на заданном (резистором R1) уровне. Причем точность поддержания тока зависит от первоначально установленного значения — чем оно меньше, тем выше точность. Утвердиться в этом выводе поможет анализ стоковых выходных характеристик, приведенных на рис. 2,в.

Подобный каскад называют источником тока или генератором тока. Его можно встретить в самых разнообразных конструкциях.

  • 68
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

Журнал «Радио», номер 11, 1998г.
Автор: Б.Иванов

Транзистор КП312А (SFE264)

Бренд Россия
Модель КП312А
Тип Оригинал (Original)
Цена в бонусных баллах: 40
В наличии Предзаказ

Но мы можем прислать вам письмо, когда этот товар поступит в продажу.

Уведомить о появлении товара

Отправка заказов производится со склада в
Ростовкой области.

  • Стоимость доставки заказа до пункта самовывоза или до двери от 260 рублей, сроки — 3-5 дней.
  • Стоимость доставки заказа до Вашего почтового отделения от 210 рублей, сроки — 5-8 дней.
  • Самовывоз: г. Каменск – Шахтинский, Проспект Карла-Маркса, д. 60, сроки — 1 день.

Транзистор КП312А (SFE264)

Основные технические параметры КП312А:

КП312А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных усилительных и преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона.
Транзисторы 2П312А, 2П312Б, КП312А, КП312Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Маркируются цветными точками:
2П312А — одной желтой,
2П312Б — одной синей,
КП312А — двумя желтыми,
КП312Б — двумя синими.
Транзисторы 2П312А-5, 2П312Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Транзисторы 2П312А-6, 2П312Б-6 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками на подложке без выводов.
На 2П312А-6 наносится синяя маркировочная точка, на 2П312Б-6 — белая.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в меаллокерамическом корпусе не более 0,2 г, кристалла не более 0,0003 г, кристалла на подложке не более 0,008 г.

Основные технические характеристики транзистора КП312А:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max — Рассеиваемая мощность сток-исток: 100 мВт;
• Uзи отс — Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком: 2. 8 В;
• Uси max — Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзс max — Максимальное напряжение затвор-сток: 25 В;
• Uзи max — Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В;
• Iс — Ток стока (постоянный): 25 мА
• Iс нач — Начальный ток стока: не более 25 мА;
• S — Крутизна характеристики: 4. 5,8 мА/В (15В);
• С11и — Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком: не более 4 пФ;
• С12и — Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ;
• Ку.р — Коэффициент усиления по мощности: не менее 2 дБ на частоте 400 МГц;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 400 МГц

Написать отзыв

Зарегистрируйся, оставляй отзывы о товаре, зарабатывай бонусы!

Ваш отзыв: Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо Хорошо

Транзистор КП312А (SFE264)

Ежедневная отправка заказов производится из г. Каменск-Шахтинский, Ростовской области по фиксированному тарифу (количество товаров не влияет на стоимость доставки). При общей сумме заказа более 2000 рублей — доставка почтой России за счет магазина!

Гибкая система оплаты банковскими картами (Visa, Mastercard, Maestro, МИР) любого банка, через интернет-банкинг (Промсвязьбанк, Альфа-Банк, ВТБ24, Банк Русский Стандарт), электронными деньгами (Webmoney, Яндекс деньги, Qiwi), наличными в салонах связи (Евросеть, Связной) — позволит вам оплатить заказ + стоимость доставки он-лайн без всяких комиссий.

После получения он-лайн оплаты, мы предоставим Вам электронный чек ОФД – который приравнен к обычному бумажному чеку и может быть использован Вами для любых целей – для отчета в бухгалтерии или разрешения спорных ситуаций, а после комплектации и отправки заказа (как правило 1-2 суток) – предоставим ссылку для отслеживания местонахождения заказа на электронную почту и продублируем смс сообщением. Вы в любой момент можете узнать – где именно находится заказ!

Доставка осуществляется почтой России до Вашего почтового отделения или Транспортной Компанией до точки самовывоза (ПВЗ Транспортой Компании) либо курьером до Двери в кротчайшие сроки — от 3 до 8 суток (в зависимости от региона получателя и способа доставки).

Читайте также  Блок питания - простой, регулируемый, импульсный на l4960

Доставка в Казахстан и Белоруссию осуществляется только транспортной компанией! При этом он-лайн оплата может производится банковскими картами в национальной валюте с прямой конвертацией в Российские рубли без всяких комиссий.

В настоящее время жесткой конкуренции на стоимость — скорость доставки заказов — Обратите внимание на способ доставки Транспортной Компанией. т.к. Стоимость ее доставки уже сравнялась с Почтой России, зато скорость выполнения работы, специальные логистические центры и отсутствие очередей, а так же лояльное отношение к клиенту — несоизмеримо выше!

Даже если по какой-то причине Вам не удалось оплатить заказ, мы отправим на Ваш электронный ящик письмо с уведомлением о заказе и ссылкой его для оплаты.

Все неоплаченные в течении 5 банковских дней заказы анулируются.

*Изображение для продукта Транзистор КП312А (SFE264) служит только для ознакомления и не предназначено для использования в конструкторской документации.

**Цены и наличие товара на сайте и в розничных магазинах «Radio-Sale» могут отличаться.

Характеристики транзисторов КП303

Полевые транзисторы КП303 – малой мощности с p-n переходом и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты (КП303Д, КП303Е) и низкой (КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И) частоты с высоким входным сопротивлением. Транзистор КП303Г в основном предназначен для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,5 г.

Зарубежный аналог КП303

  • Во многих случаях можно заменить на BF245

Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Корпусное исполнение и цоколевка КП303

Характеристики транзисторов КП303

Предельные параметры КП303

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора (Pmax) при Т = 25° C:

  • КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 200 мВт

Максимально допустимое напряжение сток-исток (UСИ max):

  • КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 25 В

Максимально допустимое напряжение затвор-сток (UЗС max):

  • КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 30 В

Максимально допустимое напряжение затвор-исток (UЗИ max):

  • КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 30 В

Максимально допустимый постоянный ток стока (IС max):

  • КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 20 мА

Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):

  • КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 85 ° C

Напряжение отсечки полевого транзистора (UЗИ отс):

  • КП303А — 0,5-3 В
  • КП303Б — 0,5-3 В
  • КП303В — 1-4 В
  • КП303Г — 8 В
  • КП303Д — 8 В
  • КП303Е — 8 В
  • КП303Ж — 0,3-3 В
  • КП303И — 0,5-2 В

Электрические характеристики транзисторов КП303 при Т = 25 o С

Ток утечки затвора (IЗут) при UЗИ = 10 В

  • КП303А — 1 нА
  • КП303Б — 1 нА
  • КП303В — 1 нА
  • КП303Г — 0,1 нА
  • КП303Д — 1 нА
  • КП303Е — 1 нА
  • КП303Ж — 5 нА
  • КП303И — 5 нА

Крутизна характеристики полевого транзистора (S ) при UСИ = 10 В

  • КП303А — 1-4 мА/В
  • КП303Б — 1-4 мА/В
  • КП303В — 2-5 мА/В
  • КП303Г — 3-7 мА/В
  • КП303Д — 2,6 мА/В
  • КП303Е — 4 мА/В
  • КП303Ж — 1-4 мА/В
  • КП303И — 2-6 мА/В

Начальный ток стока (IС нач)

  • КП303А — 0,5-2,5 мА
  • КП303Б — 0,5-2,5 мА мА
  • КП303В — 1,5-5 мА
  • КП303Г — 3-12 мА
  • КП303Д — 3-9 мА
  • КП303Е — 5-20 мА
  • КП303Ж — 0,3-3 мА
  • КП303И — 1,5-5 мА

Входная емкость полевого транзистора (С11И)

  • КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 6 пФ

Проходная емкость полевого транзистора (С12И)

  • КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 2 пФ

Коэффициент шума полевого транзистора (КШ)

  • КП303Д, КП303Е — 4 дБ

Транзистор 2П312, КП312

Транзистор 2П312, КП312
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: 2П312, КП312

Золото: 0.0039
Серебро: 0.001
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Читайте также  Usb тестер. версия 2.0

Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.