Компания vishay выпустила 12 новых, высокоскоростных фотодетекторов с поверхностным монтажом

Фотодетекторы EOT: принцип работы и основные характеристики

Введение

Фотодетекторы EOT — по-настоящему многофункциональный инструмент для измерений ширины импульса и различных приложений, связанных с анализом профиля импульса.

Серия ЕТ разработана на базе PIN фотодиодов. Фотодетекторы работают в режиме обратного смещения. В основе работы PIN фотодиодов — внутренний фотоэффект, с помощью которого оптическое излучение преобразуется в электрический сигнал (ток). В качестве источника напряжения обратного смещения используется литиевый элемент (один или более) на 3 В. Если требуется более высокое напряжение, подключают внешние аккумуляторы. Каждый фотодетектор оснащен выходным SMA или BNC разъемом. Для подключения фотодетектора к осциллографу достаточно установить нагрузочное сопротивление в 50 Ом. Почти все фотодетекторы подходят к подключению через разъем FC и совместимы с оптоволоконными источниками излучения.

Фотодетекторы с усилителем трансимпеданса

Эти фотодетекторы также основаны на технологии PIN фотодиодов, однако оснащены еще и высокоскоростным усилителем трансимпеданса. Благодаря усилителям повышается чувствительность фотодетектора — устройство распознает излучение мощностью до 100 нВт.
В основном коэффициент усиления в фотоприемниках с усилителем трансимпеданса составляет 26 дБ. Следует отметить, что эти фотоприемники связаны по переменному току, нижняя частота среза составляет 30 кГц.

Приложения

  • Измерение ширины импульса / визуализация профиля импульса лазерных источников с модуляцией добротности
  • Мониторинг выходного сигнала лазеров с синхронизацией мод
  • Визуализация резкой модуляции диодных лазеров и непрерывных (или импульсных) лазерных источников с внешней модуляцией
  • Обнаружение пучка / калибровка импульсных и непрерывных лазеров
  • Фотоприемники с большой рабочей областью применяются и в качестве измерителей мощности (расчет уровней мощности проводится по закону Ома)

На рисунке проиллюстрированы некоторые области применения фотоприемников серии ET:

Слева: профиль непрерывного импульса длительностью менее 100 пс (анализ сделан при длине волны 1064 нм, фотодетектор ET-2000), справа: биение мод в лазерном Q-switched источнике на основе Nd:YAG кристалла, диапазон частот осциллографа более 10 ГГц, фотодетектор ЕТ-2000

Основные характеристики фотодетекторов

Чувствительность: отношение возникающего фототока к данной мощности падающего света, зависит от длины волны, единица измерения А/Вт.

Спектральная чувствительность: спектральная чувствительность фотодетектора представлена зависимостью от длины волны.

Время нарастания: время, необходимое для роста уровня выходного сигнала фотодетектора от 10% до 90% от пиковой величины.

Время спадания: время, необходимое для снижения уровня выходного сигнала фотодетектора от 90% до 10% от пиковой величины.

Частотная характеристика: частотная характеристика фотоприемника чаще всего описывается как функция чувствительности от частоты модуляции потока излучения, измеряется в децибелах или герцах.

Нижняя пороговая частота: частота излучения, при которой мощность выходного сигнала фотодетектора снижается на 3 дБ, при этом частота сигнала составляет порядка 100 кГц.

Частотный диапазон: разность между верхним и нижним частотным порогом, измеренная в герцах. Частотный диапазон фотодетектора приближенно рассчитывается через время нарастания Tr по следующей формуле:

Частотный диапазон (Гц) ≈ 0.35/Tr

Темновой ток: небольшой ток, протекающий в фотодиоде при отсутствии освещения фотокатода.

Емкость перехода: значение емкости между выводами полупроводникового излучателя без емкости корпуса при заданных напряжении смещения и частоте.

Напряжение пробоя: значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение.

Энергетический эквивалент шума: энергетический эквивалент количества падающих фотонов (излучения) к уровню собственных шумов, когда соотношение сигнал/шум составляет 1.

Расчет мощности лазера

Используя значение чувствительности при данной длине волны и применяя закон Ома (V=IR), можно рассчитать мощность лазерного излучения, прошедшего через активную область детектора.

Например, выходной сигнал фотодетектора ЕТ-2030 имеет мощность 20 мВ, длина волны лазерного излучения 632.8 нм. Нагрузочное сопротивление 50 Ом, мощность входного сигнала рассчитывается как: I = 0.02 В/50 Ом , откуда I = 0.0004 A.

Спектральная чувствительность кремниевого фотодетектора ЕТ-2030 при длине волны излучения 632.8 нм составляет 0.4 A/Вт. Тогда 0.0004 A/0.4 A/Вт = 1 мВт — искомая мощность входного излучения.

Нужно отметить, что расчеты приводятся только для сигнала, затронувшего рабочую область фотодетектора. Расчеты абсолютной мощности сигнала не столь важны для практических применений, поскольку в реальных установках присутствуют потери.

Принципиальная схема фотоприемников

Схема электрической цепи фотодетекторов на основе арсенида галлия-индия и кремния, частотный диапазон менее 2 ГГц:

Схема электрической цепи фотодетектора с частотным диапазоном более 12 ГГц:

© Electro-Optics Technology, Inc.

Компания INSCIENCE помогает своим заказчикам решать любые вопросы и потребности по продукции EOT на территории РФ

Кризис полупроводников оказался масштабнее, чем можно было ожидать

В начале пандемии IT-сообщество активно прогнозировало рост выручки для гигантов индустрии, причем как в плане софта-сервиса, так и в плане вполне осязаемого железа. Уже к концу 2020 года, когда мы столкнулись с дефицитом видеокарт и игровых консолей нового поколения, зашла речь о нарушенных цепочках поставки и производства, мол, это все коронавирус и если бы не он, все было бы хорошо.

Но если посмотреть на ситуацию на рынке электроники целиком, то можно увидеть, что мы зашли в точку обфускации, где просто не найти концов, где и когда все пошло не так. Но давайте попробуем. Итак, кризис полупроводников, как уже понятно, бьет сразу по всем сферам, причем как быстрорастущим, так и по тем, что сидят тихо в углу и никого не трогают. Изначальной мета-причиной стал, конечно, коронавирус, но на самом деле сошлось очень и очень много звезд для того, чтобы мы оказались в этой яме.

Последние полгода в сети стала появляться разрозненная информация о том, что производители и потребители сталкиваются с дефицитом чипов и текстолита. Началось все со всем известного дефицита консолей нового поколения и видеокарт, а по итогу вылилось с проблемами по всем фронтам, в том числе и с совсем копеечными старыми платами на древних техпроцессах.

На самом деле наибольшие проблемы назревают как раз в области промышленной электроники. Пандемия совпала с очередным циклом смены техпроцессов, что только усугубило ситуацию. Кто не в курсе: большинство электротехнических товаров используют технологии прошлого или позапрошлого поколения, а многие жизненно важные вещи базируются и вовсе на разработках начал 00-х годов, например, платы контроллеров пожарных систем часто производят на базе малюток ARM Cortex M3.


Arduino due r3 с чипом Cortex M3. Розничная цена платы 300-550 RUB на всем известном китайском сайте

Наиболее заметен кризис «старого текстолита» в такой консервативной области, как автомобилестроение. Так, автоконцерны в принципе не очень охотно внедряют новые стандарты, предпочитая до упора выжимать из существующих линий производства все соки. Однако последние годы классические комплектации автомобилей стали выглядеть просто нелепо на фоне возможностей смартфонов и продукции той же Tesla, машины которой нафаршированы современной электроникой под завязку.

«Компании Ford пришлось сократить объемы производства», «Компания Nissan приостановила свои производства в Мексике и США», «General Motors в свою очередь прогнозирует потерю около $2 млрд выручки» — это основные новости из мира автопроизводителей последнего месяца. Все они связаны с нехваткой полупроводниковых комплектующих, которые в свою очередь невозможно изготовить из-за физического отсутствия полупроводниковой продукции и чипов.

Взлетели цены и на розницу с мелким оптом. Так, на том же Ali цена контроллера для Arduino STM32F103C8T6 ARM 32 Cortex-M3 подскочила с 1,90$ до 2,88$ одним днем — 8 марта. Ситуация на оптовом рынке «копеечных» полупроводников старых техпроцессов еще хуже. Например, популярные и дешевые RISC-и STM32F103RCT6 и STM32F071VBT6 поднялись в цене в

10-15 раз при покупке напрямую у китайских производителей и практически пропали из розницы.


Трек розничной стоимости чипа STM32F103RCT6 на Ali. До нового года цена составляла 0,90$, на момент написания статьи — взлетела до 7,63$, а у некоторых продавцов — до 9-10$

Все печально и на рынке памяти. Компания TrendForce еще в ноябре прошлого года зафиксировала рост стоимости памяти DDR2 и DDR3 в пределах 1-3% в месяц. Изначально эта цифра не выглядит угрожающе, но именно память предыдущих поколений активно используется в производстве бытовой техники, в том числе и «умной», в контроллерах и прочего дешевого текстолита, к доступности которого мы привыкли.

При этом объемы производственных мощностей DDR1-DDR3 памяти сейчас крайне невелики, на уровне 3-5% от общего количества твердотельной памяти на рынке. Однако важно понимать, что с разгоном полупроводникового дефицита цифры корректируются. В феврале 2021 года стоимости памяти DDR3 выросла еще на 6,8%. Те же TrendForce прогнозируют рост стоимости памяти DRAM всех типов на 13-18% только во II квартале 2021 года. Наиболее тревожная ситуация складывается на рынке памяти низкой плотности, которая задействована как раз в производстве дешевых контроллеров и RISC. Там динамика роста цен, при общих небольших объемах производства, еще выше, что пока не слишком ощущается из-за дешевизны этой продукции в абсолютных цифрах. Насколько подорожает и так не самая дешевая память всех типов к концу года остается только гадать.

Читайте также  Программатор avr микроконтроллеров

Ситуация с оперативной памятью может ухудшиться еще и из-за желания SK Hynix — крупнейшего в мире производителя оперативной памяти — быстрее полноценно освоить техпроцесс и наладить выпуск памяти DDR5 хотя бы серверного сегмента.


Первые образцы плат памяти DDR5 от SK Hynix

Корейцы должны справиться к релизам следующих поколений процессоров AMD и Intel, для которых уже заявлялась поддержка DDR5. Напомним, первые модули DDR5 были представлены публике еще осенью 2020 года. Тогда же SK Hynix заявила, что все спецификации были приняты и согласованы сообществом производителей и в целом, рынок более-менее готов к началу перехода на новый стандарт. Начнется апгрейд с серверного сегмента. Память DDR5 крайне важна для дальнейшего развития IT-сектора, так как базовая частота этих модулей составляет 4000-4800 МГц, что является пороговым максимальным значением для подавляющего большинства модулей DDR4, а в перспективе модули DDR5 выйдут на фантастические 6000-8000 МГц «с завода».

Существует резонный вопрос: а почему не строят новые заводы?

На него есть очень простой ответ: производители боятся вложиться в крупные линии, чтобы потом столкнуться с тем, что произведенную дополнительную продукцию некому продавать. Ведь сейчас страдают только сборочные производства и потребители, а сами производители полупроводников чувствуют себя в условиях перегретого рынка крайне комфортно. Прекрасным примером того, как компании сейчас могут получать неадекватные сверхприбыли, является выпуск компанией Nvidia «майнерской» карты на базе графического чипа и вообще логики GTX 1660 Super. Там все совпадает, даже конечные вычислительные мощности в цифрах хэшрейта. Отличие только в отсутствии у «майнерского» варианта видеовыходов. Так вот, в условиях дефицита производитель видеокарт продает урезанную версию старой GTX 1660, релизная цена которой в 2019 году составляла 220-270$ в рознице за стоковую/Super модель, за невозможные еще полгода назад 720$. Чистая разница в отпускной стоимости «тогда» и «сейчас» составляет 260%, а прибыль могла вырасти десятикратно.

По этой причине в ближайшее время будут расти цены на все товары, где используются микрочипы, оперативная память или даже простейшие контроллеры. В одном случае рост будет незаметным, в другом — в ситуации с RISC на чипах STM32F103RCT6 и STM32F071VBT6 — цены могут подпрыгнуть в 10 раз.

Вопрос в том, как быстро производители поймут, что в условиях такого перегрева рынок стабильным быть не может, и начнут разворачивать дополнительные производственные мощности. Первыми уже зашевелились Intel: компания объявила о расширении производства и создании бизнес-подразделения Intel Foundry Services (IFS). Оно будет специализироваться на контрактном производстве полупроводниковой продукции. На это дело Intel выделяет 20 млрд долларов, которые будут потрачены на строительство двух новых фабрик на территории США.

Вопрос в том, как быстро отреагируют TSMC и Samsung — в диапазоне от 4 до 22 нм на две эти компании приходится от 40 до 60% всех производственных мощностей мира.

У нас нет дефицита — облачные серверы на базе AMD Epyc в любом количестве. Закажите виртуальный сервер любой конфигурации и получите 10% скидку на первый месяц аренды. Выбирая наши услуги вы получаете: VDS на надёжном и современном оборудовании, размещение в дата-центре уровня TIER IV (Datapro, Москва), интернет на скорости 500 Мбит/сек, бесплатную защиту от атак, возможность установить любую операционную систему!

Новое в мире полупроводников

Читаем, обсуждаем, задаем вопросы

Vishay: SiHx25N50E — силовые N-канальные MOSFET-транзисторы семейства E с напряжением сток-исток 500 В

Высокоэффективные MOSFET-транзисторы SiHx25N50E с напряжением сток-исток 500 В, выполненные на основе устройств второго поколения по технологии Суперперехода, являются дополнением к существующему семейству D с тем же напряжением сток-исток, созданных на базе высокопроизводительной планарной технологии.

Новые транзисторы поддерживают рабочий ток стока до 25 А и отличаются низким сопротивление открытого канала, равным 145 мОм. Они выпускаются в стандартных корпусах TO-220 (SiHP25N50E), TO-247AC (SiHG25N50E) и компактном, низкопрофильном TO-220 FULLPAK (SiHA25N50E).

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Vishay

Vishay: VOW3120 — оптически изолированная схема управления затворами MOSFET и IGBT транзисторов с выходным током до 2.5 А в широкопрофильном корпусе с высокой степенью изоляции

Минимальный поверхностный путь тока утечки 10 мм, рабочее напряжение изоляции VIORM 1414 В, максимальное импульсное напряжение изоляции VIOTM 8000 В делают VOW3120 идеальным выбором для применения в высоковольтных схемах управления и/или в условиях с сильным уровнем загрязнения.

VOW3120 состоит из инфракрасного светодиода, оптически связанного с интегральной схемой силового выходного каскада. Оптрон идеально подходит в качестве драйвера затворов силовых IGBT и MOSFET транзисторов, применяемых в системах управления электродвигателями и инверторах напряжения. Высокий уровень выходного напряжения и тока оптрона позволяют напрямую управлять затворами IGBT-транзисторов с классом мощности до 1200 В / 100 А. Время задержки переключения логических уровней, составляющее 250 нс, и время нарастания/спада фронта импульса, равное 100 нс, позволяет применять VOW3120 в схемах высокочастотной коммутации. Малый ток потребления, не превышающий 2.5 мА, и широкий диапазон напряжения питания оптрона во многих случаях позволяет отказаться от использования дополнительного, дорогостоящего источника питания и снизить число внешних компонентов и стоимость конечного решения.

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Vishay

Vishay: SiP12109 — синхронный понижающий преобразователь с диапазоном входного напряжения от 4.5 до 15 В и выходным током до 4 А

Компания Vishay расширяет линейку интегральных синхронных понижающих преобразователей напряжения microBUCK®, представляя новую модель с выходным током до 4 А, устанавливаемой частотой преобразования до 1.5 МГц и широким диапазоном входного напряжения от 4.5 до 15 В.

SIP12109 включает силовой двухтактный каскад на MOSFET-транзисторах и поставляется в компактном 16-выводном корпусе QFN размером 3 мм x 3 мм. Основной областью применения устройства являются системы распределённого питания нагрузок, в том числе силовые компоненты шин питания 5 В и 12 В, используемые в промышленных и телекоммуникационных приборах с ограниченными габаритами. К другим областям применения относятся схемы питания сетевых процессоров, DSP процессоров, ПЛИС FPGA, специализированных СБИС (ASIC), карт памяти, дисплеев, цифровых ТВ-приставок, серверов.

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Vishay

Vishay: VSMY98545 — мощный инфракрасный светодиод с длиной волны излучения 850 нм для поверхностного монтажа

VSMY98545 – новый инфракрасный светодиод с длиной волны излучения 850 нм в компактном корпусе размерами 3.85 мм x 3.85 мм x 2.24 мм для поверхностного монтажа. Прибор выполнен по технологии поверхностного излучения кристалла SurfLight™, имеет встроенную линзу и отличается высокой интенсивностью радианного свечения, высокой оптической мощностью и низким тепловым сопротивлением.

VSMY98545 имеет площадь кристалла 42 мкм x 42 мкм, обладающим низким тепловым сопротивлением переход-вывод 10 K/Вт и способным работать при прямом токе до 1 А или импульсном токе до 5 А. Встроенная в светодиод линза обеспечивает угол половинной интенсивности свечения ±45°, за счёт чего достигается радианная интенсивность 350 мВт/стерадиан при прямом токе 1 А и 1600 мВт/стерадиан при импульсном токе 5 А. Это вдвое больше аналогичного параметра у светодиодов без линз.

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Vishay

Vishay: SIZ340DT-T1-GE3 — сдвоенный силовой MOSFET-транзистор 30 В / 40 А, выполненный по технологии TrenchFET 4-го поколения в корпусе PowerPAIR® размером 3 х 3 мм

Еще большая плотность мощности при меньшем тепловыделении!

Новый N-канальный полевой транзистор, выполненный по новейшей технологии TrenchFET Gen IV® компании Vishay, позволяет упростить схему и значительно увеличить эффективность по сравнению с устройствами предыдущего поколения и конкурирующими решениями.

Сдвоенный асимметричный силовой MOSFET-транзистор с рабочим напряжением 30 В в корпусе PowerPAIR® отличается на 57% меньшим сопротивлением открытого канала, на 25% большей плотностью мощности и на 5% большей эффективностью по сравнению с устройствами предыдущего поколения, выпускаемых в этом корпусе. SiZ340DT от компании Vishay Siliconix позволяет снизить потери мощности, уменьшить и упростить схему синхронных понижающих преобразователей напряжения за счет интеграции транзисторов верхнего и нижнего плеча в одном компактном корпусе размером 3 х 3 мм.

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Vishay

Vishay: Новые диоды Шоттки семейства TMBS® в низкопрофильных корпусах SMPD для применения в потребительской электронике

Малое падение прямого напряжения на диодах новой серии снижает потери мощности и увеличивает эффективность работы.

Компания Vishay Intertechnology расширяет ассортимент своих диодов с барьером Шоттки, выполненных по технологии Trench MOS TMBS®, 16-ю новыми устройствами с максимальным обратным напряжением 45 В, 50 В, 60 В, 100 В и 120 В, широким диапазоном рабочих токов от 10 А до 60 А и чрезвычайно малым падением прямого напряжения, ориентированными на применение в бытовых приборах и потребительской электронике. Диоды доступны в низкопрофильных корпусах SMPD, совместимых по посадочным местам со стандартным D2PAK (TO-263), но отличающихся меньшей высотой корпуса, составляющей всего 1.7 мм.

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Vishay
Читайте также  Фонарик с индукционной зарядкой

Vishay: SiR872ADP — N-канальный MOSFET-транзистор семейства TrenchFET на 150 В в термостойком корпусе PowerPAK® SO-8

SiR872ADP от компании Vishay отличается от устройств предыдущего поколения на 45% меньшим сопротивлением открытого канала и малым зарядом затвора, увеличивая плотность мощности современных DC/DC преобразователей.

Сопротивление открытого кнала RDS(ON) транзистора SiR872ADP составляет 18 мОм при напряжении VGS = 10 В и 23 мОм при напряжении VGS = 7.5 В, а заряд затвора всего 22.8 нКл (тип.). Столь высокие характеристики RDS(ON) и FOM (показатель добротности) обеспечивают снижение потерь на проводимость и переключения и как следствие увеличивают КПД системы. Обеспечивая лучшую производительность, чем большинство транзисторов предыдущего поколения, SiR872ADP потенциально позволяет снизить число необходимых компонентов и сложность конечного решения.

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Vishay

Vishay: Новые сверх- и гипербыстрые диоды на основе технологии FRED Pt®

Снижают потери на переключение в потребительских устройствах и источниках питания

Vishay Intertechnology представляет 10 выпрямительных диодов со сверх- и гипермалым временем восстановления, выполненных по технологии FRED Pt и монтируемых посредством пайки. Диоды выпускаются в корпусах типа SMA, SMB и SMC, впервые поддерживающие токи до 3 А, 3 А и 4 А, 4 А и 5 А, соответственно.

Новые диоды обладают чрезвычайно малым временем и плавной характеристикой восстановления, а также имеют низкое прямое падение напряжения и малый ток утечки. Они выполнены по технологии FRED Pt, позволяющей снизить потери на переключение, благодаря чему хорошо подходят для применения в потребительской электронике, ЖК-телевизорах, источниках питания и в электронных балластах для люминесцентных ламп.

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Vishay

Vishay: TSOP57x – семейство инфракрасных приемников для систем дистанционного управления

Ультранизкий профиль (0.8 мм), исключительно широкий угол диаграммы чувствительности (150°), дальность приема до 40 м

Компания Vishay Intertechnology расширила свой модельный ряд оптоэлектронных приборов новым семейством инфракрасных приемников для систем дистанционного управления, отличающихся лучшим в отрасли сочетанием компактных размеров и широкого угла диаграммы чувствительности. Так, высота корпуса TSOP57x составляет всего 0.8 мм при ширине угла диаграммы чувствительности 150°.

Кроме того, новые устройства отличаются высокой чувствительностью, характерной для приемников компании Vishay, что позволяет им уверенно принимать сигнал на расстоянии до 40 метров. Мировая тенденция уменьшения толщины ЖК дисплеев и плазменных телевизоров порождает требования разработчиков по уменьшению высоты профиля радиоэлектронных компонентов без ущерба для их рабочих характеристик.

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Vishay

Vishay: TEFD4300 и TEFD4300F — новые высокоскоростные p-i-n фотодиоды в прозрачных и черных эпоксидных пластиковых корпусах T-1 с линзой диаметром 3 мм для инфракрасных и видимых источников света

Компания Vishay Intertechnology расширила свой модельный ряд оптоэлектронных приборов новыми высокоскоростными кремниевыми p-i-n фотодиодами с высокой чувствительностью к излучению и малым временем переключения. Устройства доступны в прозрачных и черных эпоксидных пластиковых корпусах типа T-1.

Устройства TEFD4300 в прозрачных пластиковых корпусах предназначены для регистрации излучения инфракрасных и видимых источников света в диапазоне длин волн от 350 нм до 1120 нм. Для регистрации излучения инфракрасных источников света в диапазоне длин волн от 770 нм до 1070 нм предназначены устройства TEFD4300F, отличающиеся черными корпусами, являющимися оптическими фильтрами, подавляющими видимое излучение.

Разъяснения по новым правилам тюнинга автомобилей в 2021 году

С 1 февраля 2021 года в России вступила в силу новая редакция постановления правительства №413 о правилах внесений изменений в конструкцию транспортных средств. Новые правила коснулась не только тюнинга автомобилей, но и обычных вещей, как фаркопы, багажники на крышу, ГБО и т.д. Журнал «За Рулем» дали разъяснения новым правилам с адвокатом Коллегии адвокатов «Инконсалт» Михаилом Тарасовым. Сайт Лада.Онлайн уточнил, как новые правила скажутся на установку оригинальных аксессуаров LADA.

Что изменилось?

Речь идет не о запрете, а о необходимости регистрировать все изменения в конструкции автомобиля по-новому. Без одобрения лабораториями и регистрации все изменения будут считаться незаконными.

  • С 1 февраля начали действовать новые нормы внесения изменений в конструкцию автомобилей и других транспортных средств.
  • С 1 июля 2021 года станут законными методы экспертизы и испытаний, прописанные в ГОСТе 33670–2015.

Таким образом, до 1 июля 2021 года нет никаких методик для определения безопасности внесенных изменений. Это означает, что у контролирующих и надзорных органов до 1 июля нет нормативной и методологической основы для принятия решения об отказе выдачи разрешения о регистрации изменений в конструкцию автомобилей.

Какой тюнинг и доработка являются незаконными?

Штрафы за нарушение этих требований составляют 500-800 рублей. В случае повторного нарушения 5000 рублей и возможно лишение водительских прав на срок 1–3 месяца. Если выявленные инспектором неисправности не будут устранены в течение 10 дней, регистрация транспортного средства прекращается.

Какой тюнинг и доработки могут быть установлены

Испытывать и регистрировать придется всё, что считается компонентом автомобиля. Это:

  • подвеска и любые ее компоненты
  • рулевое управление и рулевое колесо
  • сиденья водителя и пассажиров
  • внешняя световая оптика, включая подсветку номерных знаков
  • бамперы
  • выхлопная система и ее компоненты, кроме декоративных насадок на патрубки
  • ксеноновые лампы
  • галогеновые лампы накаливания нестандартного света
  • любые спойлеры
  • нестандартные пороги
  • нестандартные колесные арки
  • подкрылки
  • дополнительное внешнее освещение
  • багажник на крыше
  • колесные проставки
  • газобаллонное оборудование
  • «кенгурятники»
  • лайтбоксы на крыше
  • мониторы для трансляции рекламы
  • «плавники»
  • фаркопы
  • лебедки
  • тюнинг двигателя ( чип-тюнинг, расточка и прочие доработки)
  • колесные диски (должны соответствовать типоразмерам, заявленным автопроизводителем именно для этой модели)

Легальность изменений конструкции ТС с 1 июля будут оценивать в соответствии с ГОСТ 33670–2015 .

Разъяснения по отдельным элементам тюнинга

Разъяснения от «За Рулем» по отдельным доработкам/тюнингу:

Про размер колес: Информация о том, какой размер колес можно использовать содержится в руководстве по эксплуатации и документах, оформляемых при сертификации автомобиля перед началом продаж в стране — ОТТС (Одобрение типа транспортного средства) и СБКТС (Свидетельство безопасности конструкции транспортного средства). Более подробные разъяснения.

Про багажник на крыше: Запрет касается только самодельных багажников. К владельцам автомобилей с багажниками заводскими, серийного производства, сертифицированными производителями, вопросов не будет. Тем более это быстросъемная конструкция, а не переоборудование автомобиля.

Про ТСУ (фаркоп): Это тоже быстросъемная конструкция. К ним предъявляются определенные требования, но если изделие заводское и сертифицированное, претензий к владельцу автомобиля быть не должно. Более подробные разъяснения.

Про светодиодную подсветку номерных знаков. Пункт 3.4 запрещает установку рассеивателей и ламп, не соответствующих типу данного светового прибора. Так что, если производитель предписал использовать в подсветке номера, например, лампы накаливания W5W 12V 5W, другие ставить нельзя.

Про установку сидений от другого автомобиля: Зависит от того, какой автомобиль и какие сиденья. Такая замена может считаться переоборудованием, но вы имеете на нее право, если предоставите документы о безопасности сидений и возможности их установки на ваш автомобиль. Работы должны быть выполнены в специализированной мастерской (автосервисе) и зарегистрированы в ГИБДД.

Про запаску снаружи: В ГОСТ 33670–2015 есть пункт А.26.10, указывающий, что запасное колесо, аккумуляторные батареи, сиденья должны быть надежно закреплены в местах, предусмотренных изготовителем.

Про нештатный глушитель (паук и пр.): ГОСТ 33670–2015 (п. А. 23.2) указывает, что не допускается внесение изменений в конструкцию системы выпуска отработавших газов. Также регламентируются предельные уровни шума выпуска двигателей ТС, а машины с «прямотоками», как правило, очень громкие.

Про чип-тюнинг двигателя: Прямого запрета на него по-прежнему нет. Главное, чтобы блоки электронного управления двигателем не имели видимых повреждений и содержание вредных выбросов в выхлопных газах не превышало норму.

Про брызговики, которых нет с завода: Перечень неисправностей запрещает эксплуатацию, если на автомобиле отсутствуют предусмотренные конструкцией заднее защитное устройство, грязезащитные фартуки и брызговики. Но если присутствуют не предусмотренные — это не нарушение. Во всяком случае, не прямое. Вряд ли инспекторы будут канителиться с вами по такому сомнительному поводу.

Про нештатную магнитолу (Teyes и пр.): Конструкцию автомобиля нештатное головное устройство не меняет (если вы не переделали полностью систему электропитания).

Про нештатный руль (спортивный и пр.): В Перечне неисправностей и условий, при которых запрещается эксплуатация транспортных средств, тип рулевого колеса не регламентируется, в отличие от люфтов, перемещения узлов и деталей, резьбовых соединений, наличия или отсутствия усилителей рулевого управления или рулевых демпферов, устройства фиксации рулевой колонки. Так же как и в ГОСТ 33670–2015 «Автомобильные транспортные средства единичные. Методы экспертизы и испытаний для проведения оценки соответствия». Там записано, что рулевое колесо не должно захватывать часть одежды или ювелирные украшения водителя, крепежные болты руля к ступице не должны выступать, можно использовать руль с металлическими спицами (закругленными) — и это всё.

Однако при этом в Перечне есть пункт 7.18, который гласит, что эксплуатация может быть запрещена, если «в конструкцию транспортного средства внесены изменения без разрешения Государственной инспекции безопасности дорожного движения Министерства внутренних дел Российской Федерации или иных органов, определяемых Правительством Российской Федерации». И этот пункт для гаишников — на все случаи жизни. Впрочем, они должны еще доказать, что вы действительно внесли изменения в конструкцию транспортного средства.

Читайте также  Устройство защиты сети 220в

Про установку ГБО: Как и раньше переделку придется регистрировать в ГИБДД (через экспертизу в НАМИ или в других экспертных компаниях).

Про ветровики (боковые дефлекторы): Устанавливать можно. Но, по ГОСТ 33670–2015 (А.16.6), они должны быть не загнуты к кузову так, что их края не могут соприкоснуться с шаром диаметром 100 мм (представьте большой елочный шар), и имеют радиус закругления кромок не меньше 1 мм. Сложно? Это не ваша проблема, а экспертов, если им вдруг придется доказывать нелегальность ваших дефлекторов.

Про накладки на кузов (мухобойка и пр.): Прямого запрета на использование накладок, дефлекторов и тому подобного нет, однако в Перечне неисправностей и условий, при которых запрещается эксплуатация транспортных средств, есть тот самый универсальный пункт 7.18 о внесении изменений в конструкцию. У инспектора возникли претензии? Предложите ему объяснить, где он видит изменения конструкции, и показать документ, в котором содержится запрет на такие аксессуары. В любом случае, прежде чем ставить что-то нештатное на автомобиль, нужно тысячу раз подумать: а действительно ли оно нужно, и проверить это «что-то» на отсутствие нарушений по Перечню и ГОСТу. Без «мухобойки» уж точно можно обойтись: пользы от нее никакой, а красота сомнительная.

Лифт подвески. Проставки для увеличения дорожного просвета являются компонентами транспортного средства, их установка возможна при условии, что после внесения изменений в конструкцию транспортного средства его безопасность соответствует требованиям технического регламента Таможенного союза «О безопасности колесных транспортных средств».

Тягово-сцепное устройство (фаркоп). Устанавливаемые на транспортные средства компоненты, в том числе тягово-сцепное устройство, должны соответствовать требованиям технического регламента, в том числе в отношении маркировки. Установка ТСУ на транспортное средство в случае, если в одобрении типа транспортного средства указано, что «буксировка прицепа не предусмотрена», является недопустимым внесением изменений в конструкцию ТС.

Лебедка и холодильно-обогревательное оборудование. Установка лебедок и холодильно-обогревательного оборудования является внесением изменений в конструкцию транспортного средства. Возможность данной установки и соответствие данного оборудования другим техническим регламентам рассматриваются аккредитованной испытательной лабораторией в соответствии с действующим порядком внесения изменений в конструкцию ТС. Для получения свидетельства о соответствии конструкции транспортного средства (ССКТС) требованиям безопасности заявитель должен предоставить документацию, подтверждающую соответствие усовершенствованного транспортного средства требованиям безопасности.

Колеса большего радиуса. При установке на транспортное средство колес размерности, не предусмотренной заводом-изготовителем, безопасность транспортного средства должна быть подтверждена протоколом испытаний на устойчивость, тормозные характеристики и показания спидометра. Шины, устанавливаемые на транспортное средство, должны соответствовать категории скорости, указанной в «Одобрении типа транспортного средства».

Переоборудование под перевозку грузов. При внесении изменений в конструкцию ТС, связанных с установкой самосвальных и бортовых кузовов, цистерн, тента, необходимо предоставление документации, подтверждающей соответствие транспортного средства с внесенными в конструкцию изменениями требованиям безопасности.

Легкосъемные компоненты. Установка на транспортное средство легкосъемных компонентов, таких как крышка грузового отсека для пикапа, багажник на крышу автомобиля, не требует получения ССКТС в случае, если данные компоненты являются легкосъемными, установлены в соответствии с инструкцией по установке или эксплуатации компонента и возможность их использования отражена в эксплуатационной документации транспортного средства.

Тюнинг обвес. Чтобы законно ездить на автомобиле с тюнинг обвесом нужно получить решение о возможности внесения изменений в конструкцию транспортного средства в ГИБДД. Чтобы перерегистрация прошла успешно нужно иметь на руках декларацию о соответствии от производителя тюнинг обвеса.

Что одобрено к установке по ОТТС

Одобрение типа транспортного средства — свидетельство, подтверждающее соответствие автомобиля определенным требованиям ТРТС 018/2011, устанавливающего на территории стран ЕАЭС стандарты относительно всех колесных транспортных средств.

Номер ОТТС указан в ПТС вашего автомобиля:

Найти ОТТС можно на сайте gost.ru, используя форму поиска . Для поиска достаточно указать первые пять символов VIN номера, а затем звездочку (XTAGF*).

Наиболее важная информация находится в конце документа, где указывается допустимые шины и оборудование транспортного средства:

Касается ли это оригинальных аксессуаров?

Сайт Лада.Онлайн обратился на АВТОВАЗ с вопросом «При установке оригинальных аксессуаров LADA будут ли у владельца проблемы с ГИБДД?». Нам ответили так:

Оригинальный аксессуар или нет, значения не имеет, все равно его придется регистрировать в органах ГИБДД. В первом случае это будет сделать проще, т.к. оригинальные аксессуары соответствуют высоким требованиям марки и всем стандартам безопасности.

Однако в комплекте с оригинальным аксессуаром нет никаких сертификатов или подобных документов, подтверждающих его оригинальность. Поэтому, как вы будете доказывать инспектору, что на вашей машине установлен именно оригинальный аксессуар — неизвестно.

Может ли инспектор на дороге оштрафовать за тюнинг?

Возить с собой сертификаты на багажники и фаркопы и предъявлять их сотрудникам ГИБДД вы не обязаны, но на всякий случай…

Где купить оригинальные аксессуары для LADA:

Ключевые слова: новые законы и правила

Поделиться в социальных сетях:

Обнаружили ошибку? Выделите ее и нажмите Ctrl+Enter..

Физики создали «почти идеальный» фотодетектор

Поверхность детектора (кремний, покрытый оксидом алюминия)

Mikko A. Juntunen et al. / Nature Photonics, 2016

Физики из Университета Аалто разработали фотодетектор с рекордной внешней квантовой эффективностью — 96 процентов в интервале от среднего ультрафиолета до ближнего инфракрасного излучения. При этом устройство обходит по своим параметрам существующие детекторы, работающие в гораздо более узких спектральных диапазонах (например, только ультрафиолетовые). Ученые отмечают, что благодаря структурированной поверхности детектор может работать и при падении света под большими углами — до 70 градусов. Одним из его применений, отмечают авторы, может стать протезирование сетчатки глаза. Исследование опубликовано в журнале Nature Photonics, кратко о нем сообщает пресс-релиз университета.

Простым примером фотодетекторов являются пиксели матрицы фотоаппарата. Как правило детекторы представляют собой полупроводниковые приборы, в которых, под действием падающих фотонов, появляются носители зарядов. Это приводит к возникновению электрического тока. Одной из важнейших характеристик фотодетекторов является квантовая эффективность. Это отношение количества фотонов, попавших на устройство, к количеству носителей зарядов, которые возникли из-за этого взаимодействия. Чем больше эта величина, тем чувствительнее детектор или пиксель матрицы.

Различают внутреннюю и внешнюю эффективности: первая относится только к фотонам, поглощенным прибором, вторая — ко всем фотонам, которые попали на устройство. Внутренняя эффективность снижается из-за рекомбинации носителей зарядов: поглощение фотона приводит к образованию электрона и дырки, которые могут взаимоуничтожиться. На внешнюю эффективность влияет отражение от поверхности детектора — некоторые фотоны вместо поглощения просто отражаются. Для того чтобы уменьшить отражение, используются сложные наноструктурированные поверхности — например, покрытый наноиглами «черный кремний». Но большая удельная площадь поверхности одновременно усиливает рекомбинацию носителей зарядов в полупроводниках. Кроме того, рекомбинация происходит и на дефектах полупроводников (например, допирующих атомах), без которых невозможно создание p-n-переходов.

Авторы новой работы нашли способ исправить этот баланс. В составе p-n-перехода, традиционного для фотодетекторов, физики заменили p-полупроводник на оксид алюминия, значительно сокращающий скорость рекомбинации. В роли n-полупроводника выступал кремний.

Ученые с помощью ионного травления сформировали на поверхности кремния массив наноигл и осадили поверх него оксид алюминия. Получился «сандвич» из черного кремния и окиси алюминия, с обоих сторон к которому были подведены контакты. Наноиглы играли роль антиотражающего слоя, заставлявшего фотоны многократно отражаться и поглощаться в детекторе.

Mikko A. Juntunen et al. / Nature Photonics, 2016

В ходе испытаний оказалось, что детектор близок к идеальному фотодиоду в диапазоне длин волн от 250 до 950 нанометров. Внешняя квантовая эффективность устройства достигла 96 процентов. Авторы сравнили его с коммерчески доступными фотодиодами, работающими в узких диапазонах длин волн. Оказалось, что за исключением небольшой спектральной области при 400 нанометрах, устройство превосходило своих конкурентов. Эффективность фотодетектора сохранялась и при скользящем падении лучей — при отклонении от вертикали вплоть до 70 градусов.

По словам исследователей, подобные фотодетекторы могут найти применение в сцинтилляционной технике, используемой для детектирования рентгеновских лучей. Другим необычным вариантом использования таких чувствительных устройств могут стать протезы сетчатки, чувствительные к ультрафиолету и инфракрасному излучению помимо видимого диапазона.

Протезы сетчатки глаза — фоточувствительные устройства, подключаемые напрямую к зрительному нерву. Они способны заменить собой сетчатку, однако, на сегодняшнем уровне развития техники, главная их проблема состоит в невысокой разрешающей способности. Существующие прототипы позволяют лишь различать силуэты людей. В прошлом году инженеры из Стенфордского университета описали и протестировали протез сетчатки высокого разрешения на крысах. Эквивалентная острота зрения, развиваемая протезом, позволила бы человеку прочесть верхнюю строку офтальмологической таблицы.